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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 690 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-75, SOT-416 १२० सवार एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O (T6OMI, FM -
सराय
 ECAD 4250 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2383 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 270MW (TA)
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LF -
सराय
 ECAD 7224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
सराय
 ECAD 9278 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK16E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, HOF (एम) -
सराय
 ECAD 8164 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1315 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5db @ 100mHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 895 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1309 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF 0.6400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J808 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 35MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 100 @a २४.२ सदा +10V, -20V 1020 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2089 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 Rn49a1 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47KOHMS
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2961 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D (STA4, Q, M) 3.1600
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK14A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 14 ए (टीए) 10V 370MOHM @ 7A, 10V 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2300 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1103 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE (TE85L, F) 0.0639
सराय
 ECAD 7284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1908 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 6177 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2705 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 1MA, 10mA 80 @ 10MA, 5V 200MHz
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 4968 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F, LF 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J353 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 150MOHM @ 2A, 10V 2.2V @ 250µA ३.४ सदा +20V, -25V 159 पीएफ @ 15 वी - 600MW (TA)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E, S5x -
सराय
 ECAD 2076 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D (STA4, Q, M) 1.3700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 6 ए (टीए) 10V 1.4OHM @ 3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 22 ए (टीए) 10V 7.5mohm @ 11a, 10v 4V @ 300µA 31 सना ± 20 वी 2320 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV, L3F 0.2900
सराय
 ECAD 84 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7583 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2965 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 19.5MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 4.8 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 620 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1411 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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