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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव रत्य अय्यरस Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5, S1Q -
सराय
 ECAD 2691 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK14C65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RRRR21 (STA1, ई 3.6500
सराय
 ECAD 1369 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT40RR21 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 एनएस - 1200 वी 40 ए 200 ए 2.8V @ 15V, 40a -, 540) जे (ऑफ) -
RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 6934 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W, RVQ 1.8400
सराय
 ECAD 9031 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LF 0.4300
सराय
 ECAD 162 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J351 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 3.5 ए (टीए) 4V, 10V 134MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 15.1 gapak @ 10 वी +10V, -20V 660 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1, RQ 5.5900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 40 ए (टीए) 10V 55mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.69ma 65 सना ± 30V 3680 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH, L1Q 1.7900
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH8R80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 32 ए (टीसी) 10V 8.8mohm @ 16a, 10v 4V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2800 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 61W (टीसी)
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (T5L, T) -
सराय
 ECAD 2761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J114 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 4V 149MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA 7.7 सना ± 8V 331 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6703 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, T2F (M) -
सराय
 ECAD 8734 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3668 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
सराय
 ECAD 219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2505 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z, LQ 3.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK210V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 15 ए (टीए) 10V 210mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1370 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC, L1Q 1.2200
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN2R203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीसी) 10V 2.2MOHM @ 22.5A, 10V 2.3V @ 500µA 34 सना ± 20 वी 2230 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 8088 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 2957 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5, S1X 3.0200
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK14E65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF 0.6400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J808 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 35MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 100 @a २४.२ सदा +10V, -20V 1020 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D (STA4, Q, M) 2.4700
सराय
 ECAD 9513 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 13 ए (टीए) 10V 460MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8974 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1961 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0.1800
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1586 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y (t6onk1fm -
सराय
 ECAD 8244 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2229YT6ONK1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W, S4X 3.8400
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK17A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 17 ए (टीए) 10V 290mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 850µA 32 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
2SC2235-O(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6FJT, AF -
सराय
 ECAD 2992 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1528 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 22 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1902 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 1kohms
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F-GR (TE85L, F -
सराय
 ECAD 7146 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1C01 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 800MHz
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF -
सराय
 ECAD 2510 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
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