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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O (Q) 3.0600
सराय
 ECAD 2325 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 2SC5200 150 से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
सराय
 ECAD 7274 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL, L1Q 0.9400
सराय
 ECAD 60 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R704 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 92 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 46A, 10V 2.4V @ 200 @a 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2500 पीएफ @ 20 वी - 960MW (TA), 81W (TC)
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F, LF 0.4100
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J375 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 150MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 270 पीएफ @ 10 वी - 600MW (TA)
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH, L1Q 1.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN5900 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 150 वी 9 ए (टीए) 10V 59MOHM @ 4.5A, 10V 4V @ 200 @ 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 75 वी - 700MW (TA), 39W (TC)
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC, L1Q -
सराय
 ECAD 1432 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN2R503 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.5MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 500µA 40 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2230 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 35W (TC)
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2311 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3334 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1B04 300MW SM6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE, LM 0.4300
सराय
 ECAD 111 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 8.5pf @ 3V सराय -स
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 9297 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SK3309(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3309 -
सराय
 ECAD 9535 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3, लघु टैब 2SK3309 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fl तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 10 ए (टीए) 10V 650MOHM @ 5A, 10V 5V @ 1MA 23 सना ± 30V 920 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (t6cn, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 3118 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, HOF (एम) -
सराय
 ECAD 4288 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 1647 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6107 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.5 ए (टीए () 2V, 4.5V 55MOHM @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 200 @ ९। ± 12V 680 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O, LF -
सराय
 ECAD 9564 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC5066 100MW एसएसएम - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12v 30ma एनपीएन 80 @ 10MA, 5V 7GHz 1DB @ 500MHz
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D (STA4, Q, M) 2.2300
सराय
 ECAD 1473 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1, S1X 1.9900
सराय
 ECAD 3520 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK40E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3000 पीएफ @ 50 वी - 126W (टीसी)
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LXHQ 1.0700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 18MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 2650 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A, LF 0.4000
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414, LF 0.1900
सराय
 ECAD 4137 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 5109 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1425 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402, LF 0.2200
सराय
 ECAD 6149 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 10 कांपो
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2113 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 47
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 (एफ) -
सराय
 ECAD 1045 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ380 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 पी-पी 100 वी 12 ए (टीए) 4V, 10V 210MOHM @ 6A, 10V 2V @ 1ma 48 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 35W (टीसी)
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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