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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) अफ़स्या
RN2906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC4793,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 3083 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
2SA949-Y(JVC1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (JVC1, F, M) -
सराय
 ECAD 8449 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F (सीटी ((((() 0.1800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2103 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी 600 µA @ 10 V 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 1656 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8211 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 5.5 ए 36MOHM @ 3A, 10V 2.5V @ 1MA 25nc @ 10v 1250pf @ 10v सराय -स
2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201-Y (TE12L, ZC 0.5200
सराय
 ECAD 3081 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ५०० तंग पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1,000 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR (TE85L, F 0.6800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 2SK2145 ३०० तंग एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 13pf @ 10v २.६ सना २०० @ @ १०
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 7302 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8901 1.48W पीएस -8 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TPCP8901 (TE85LFM Ear99 8541.29.0075 3,000 50 वी 1 ए, 800ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 170MV @ 6MA, 300mA / 200MV @ 10MA, 300MA 400 @ 100ma, 2v / 200 @ 100ma, 2v -
RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2107 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL, L1Q 0.9600
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN2R304 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 80 ए (टीसी) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 40A, 10V 2.4V @ 300µA ४१ सदा ± 20 वी 3600 पीएफ @ 20 वी - 630MW (TA), 104W (TC)
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3J36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.2 सना ± 8V 43 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W, RVQ 6.0900
सराय
 ECAD 6936 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK16G60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage 2SB906-Y (TE16L1, NQ 1.2100
सराय
 ECAD 5609 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SB906 1 डब पीडब-k-मोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 60 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.7V @ 300mA, 3 ए 100 @ 500mA, 5V 9MHz
RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1310 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682, T6CSF (J (J) -
सराय
 ECAD 7435 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC4682 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 15 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 30MA, 3 ए 800 @ 500MA, 1V 150MHz
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L (T6L1, NQ 1.3300
सराय
 ECAD 8845 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ10S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 10 ए (टीए) 6v, 10v 44MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 19 सराय @ 10 वी +10V, -20V 930 पीएफ @ 10 वी - 27 कनम (टीसी)
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH, L1Q 1.2500
सराय
 ECAD 9998 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH12008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 24 ए (टीसी) 10V 12.3mohm @ 12a, 10v 4V @ 300µA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1900 पीएफ @ 40 वी - 1.6W (TA), 48W (टीसी)
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2901 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2510 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
2SA1020-Y(T6CANOAF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6CANOAF -
सराय
 ECAD 9776 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SA1020YT6CANOAF Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47KOHMS
2SC2235-Y(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (T6nd, AF -
सराय
 ECAD 7383 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV, L3F -
सराय
 ECAD 6004 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) SSM3K35MFVL3F Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 180ma (TA) 1.2V, 4V 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 9.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK7J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E, S1E 2.7000
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम π-mosviii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK7J90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 900 वी 7 ए (टीए) 10V 2OHM @ 3.5A, 10V 4V @ 700µA 32 एनसी @ 10 वी ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 200w (टीसी)
2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-BL (TE85L, एफ -
सराय
 ECAD 6573 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC4738 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 350 @ 2ma, 6v 80MHz
2SJ438(AISIN,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (आइसिन, क, क, एम) -
सराय
 ECAD 2864 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ438 To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 5 ए (टीजे)
TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK65A10N1, S4X 2.7900
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK65A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 65 ए (टीसी) 10V 4.8MOHM @ 32.5A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5400 पीएफ @ 50 वी - 45W (टीसी)
RN1910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LXHF (सीटी ((() 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1910 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 500ma (TA) 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
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AD9208BBPZ-3000

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