SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) अफ़स्या
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O, LF 0.0478
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA (STA4, QM) 1.5200
सराय
ECAD 4118 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 2.5 ए (टीए) 10V 2.51OHM @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU, LF 0.4700
सराय
ECAD 47 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K514 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 12 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 4a, 10v 2.4V @ 100 @a 7.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 20 वी - 2.5W (TA)
TPC8405(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405 (TE12L, Q, M) -
सराय
ECAD 3778 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8405 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 6 ए, 4.5 ए 26mohm @ 3a, 10v 2V @ 1ma 27nc @ 10v 1240pf @ 10v सराय -स
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N (S1, E, S) 2.2100
सराय
ECAD 3081 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SC5200 150 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2SC5200N (S1ES) Ear99 8541.29.0075 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R (TE85L, F) 0.4900
सराय
ECAD 36 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी 300 µa @ 10 V 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1107 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
2SA965-Y(T6CANO,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y (T6CANO, FM -
सराय
ECAD 3779 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK3R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3A06PL, S4X 1.8000
सराय
ECAD 8105 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 80 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.3MOHM @ 40A, 10V 2.5V @ 700µA 71 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5000 पीएफ @ 30 वी - 42W (टीसी)
TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL, LQ 1.1600
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 78 सनाह ± 20 वी 6230 पीएफ @ 20 वी - 830MW (TA), 116W (TC)
TK49N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W, S1F 11.1100
सराय
ECAD 83 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK49N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 49.2 ए (टीए) 10V 55mohm @ 24.6a, 10v 3.5V @ 2.5MA 160 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR (TE85L, F) 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी २.६ सना 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W, S4X 1.6339
सराय
ECAD 3281 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK10A60WS4X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 720 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L, LXHQ 0.9500
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ15S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 15 ए (टीए) 6v, 10v 50mohm @ 7.5a, 10v 3V @ 1MA 36 सना +10V, -20V 1770 पीएफ @ 10 वी - 41W (टीसी)
XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB, LXGQ 3.9000
सराय
ECAD 4008 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB XK1R9F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 160 ए (टीए) 6v, 10v 1.92MOHM @ 80A, 10V 3.5V @ 1MA 184 सना ± 20 वी 11500 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR7904PB, L1XHQ 2.8200
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPHR7904 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीए) 6v, 10v 0.79MOHM @ 75A, 10V 3V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6650 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LXHQ 1.4200
सराय
ECAD 8142 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 4V @ 500µA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LQ 1.9000
सराय
ECAD 7785 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK33S10N1LLQCT Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2250 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107, LF 0.7200
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8107 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीएस -8 - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 8 ए (टीए) 6v, 10v 18MOHM @ 4A, 10V 3V @ 1MA ४४.६ सना +10V, -20V 2160 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF 0.4000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.2V, 4.5V 57MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2 सना ± 8V 177 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LXHF 0.3400
सराय
ECAD 47 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR, LXHF 0.4200
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10MA, 100mA / 300MV @ 10MA, 100MA 200 @ 2MA, 6V 150MHz, 120MHz
TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R9E10PL, S1X 2.9000
सराय
ECAD 9020 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.9MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 161 सना ± 20 वी 9500 पीएफ @ 50 वी - 306W (टीसी)
SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU, LF 0.4800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 1.4 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 650mA, 10V 2.6V @ 1MA ± 20 वी 137 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R, LF 0.5500
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N813 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 100V 3.5 ए (टीए) 112MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 100 @a 3.6NC @ 4.5V 242pf @ 15v -
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L (T6L1, NQ) 1.2600
सराय
ECAD 4739 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK8S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 8 ए (टीए) 6v, 10v 54MOHM @ 4A, 10V 3V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 400 पीएफ @ 10 वी - 25W (टीसी)
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060Z120C, S1F 17.8200
सराय
ECAD 7048 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 36 ए (टीसी) 18V 82MOHM @ 18A, 18V 5V @ 4.2MA ४६ सना +25v, -10v 1530 पीएफ @ 800 वी - 170W (टीसी)
TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L, LXGQ 3.5600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK200F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 200 ए (टीए) 6v, 10v 0.9mohm @ 100a, 10v 3V @ 1MA २१४ सना ± 20 वी 14920 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2309 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम