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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) अफ़स्या
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O, LF 0.0478
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 36 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी 300 µa @ 10 V 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
TPC8405(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 3778 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8405 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 6 ए, 4.5 ए 26mohm @ 3a, 10v 2V @ 1ma 27nc @ 10v 1240pf @ 10v सराय -स
TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1, S4X 3.7500
सराय
 ECAD 2898 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK100A08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीसी) 10V 3.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 130 सना ± 20 वी 9000 पीएफ @ 40 वी - 45W (टीसी)
TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5, RQ 1.5362
सराय
 ECAD 7882 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK14G65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 500ma (TA) 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR (TPL3 -
सराय
 ECAD 6607 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SA2154 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LF 0.5300
सराय
 ECAD 2581 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L820 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V, 45MOHM @ 3.5A, 10V 1V @ 1MA, 1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V -
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (सीटी ((((() 0.2400
सराय
 ECAD 259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1303 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TPC8018-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H (TE12LQM) -
सराय
 ECAD 5235 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8018 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 18 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.6MOHM @ 9A, 10V 2.3V @ 1MA 38 सना ± 20 वी 2265 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC2235-O(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6FJT, FM -
सराय
 ECAD 6710 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SA965-Y(T6CANO,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y (T6CANO, FM -
सराय
 ECAD 3779 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N (S1, E, S) 2.2100
सराय
 ECAD 3081 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SC5200 150 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2SC5200N (S1ES) Ear99 8541.29.0075 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1107 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA (STA4, QM) 1.5200
सराय
 ECAD 4118 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 2.5 ए (टीए) 10V 2.51OHM @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K514 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 12 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 4a, 10v 2.4V @ 100 @a 7.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 20 वी - 2.5W (TA)
RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1307 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ 2.0900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPH1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L (T6L1, NQ 2.2100
सराय
 ECAD 3396 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 11.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA १५६ सना +10V, -20V 7760 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
2SC2235-Y(DNSO,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (DNSO, AF) -
सराय
 ECAD 8875 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LF 0.6600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K819 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 10 ए (टीए) 4.5V, 10V 25.8MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 8.5 सना ± 20 वी 1110 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F 0.1600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3 -
सराय
 ECAD 8402 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं SSM4K27 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst4 (1.2x0.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.8V, 4V 205MOHM @ 250mA, 4V 1.1V @ 1MA ± 12V 174 पीएफ @ 10 वी - 400MW (TA)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1106 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
2SA1837,S1CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, S1CSF (J) -
सराय
 ECAD 1678 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B04J (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8248 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 HN4B04 300MW एसएमवी - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500ma 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL, L1Q 1.6300
सराय
 ECAD 8490 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.4MOHM @ 30A, 4.5V 2.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 5435 पीएफ @ 30 वी - 132W (टीसी)
TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL, L1Q 2.9000
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 1MA 67 सना ± 20 वी 6300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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