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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102 (TE12L, Q, M -
सराय
 ECAD 9323 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8102 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 40 ए (टीए) 4V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 1ma 109 सनाह ± 20 वी 4600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 2841 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8038 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 12 ए (टीए) 11.4mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना 2150 पीएफ @ 10 वी - -
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2901 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma (TA) 3.2OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100 @a - 15.1pf @ 3V -
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LF (सीटी ((() 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2103 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J46CTB (TPL3) 0.4000
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-एसएमडी, कोई लीड नहीं SSM3J46 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3b तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 10,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 103MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA 4.7 vapak @ 4.5 वी ± 8V 290 पीएफ @ 10 वी - -
RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LF (सीटी ((((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4911 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1426 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग 1 कांप 10 कांपो
TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R506PL, LQ 0.5263
सराय
 ECAD 4366 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) - 1 (असीमित) 264-TPH3R506PLLQTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 94 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.5MOHM @ 47A, 10V 2.5V @ 500µA ५५ सना ± 20 वी 4420 पीएफ @ 30 वी - 830MW (TA), 116W (TC)
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W, S1X 4.5900
सराय
 ECAD 4719 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK17E80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 17 ए (टीए) 10V 290mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 850µA 32 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FUTE85LF -
सराय
 ECAD 5880 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V - ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 6159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1601 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LQ 1.4900
सराय
 ECAD 77 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK7S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 7 ए (टीए) 10V 48MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 100 @a 7.1 सराय @ 10 वी ± 20 वी 470 पीएफ @ 10 वी - 50w (टीसी)
2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, निककीक (जे) -
सराय
 ECAD 1734 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1710, LF 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1710 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3 (S1SS-Q) -
सराय
 ECAD 5965 0.00000000 तमाम यू-यू नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK50E06 - To-220-3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK50E06K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
RN2308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2308 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
TK380A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y, S4X 1.5700
सराय
 ECAD 63 0.00000000 तमाम DTMOSV नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK380A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीसी टीसी) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 4V @ 360µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 590 पीएफ @ 300 वी - 30W
TK15J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK15J60U (F) -
सराय
 ECAD 2207 0.00000000 तमाम DTMOSII शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK15J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 7.5a, 10V 5V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 950 पीएफ @ 10 वी - 170W (टीसी)
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 8287 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1910 100MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
SSM3K62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K62 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.2V, 4.5V 57MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2 सना ± 8V 177 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LF 0.1900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (CT (CT (CT) 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 1MA, 5V ४.7 47
RN2110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS, LF 0.2900
सराय
 ECAD 479 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3J36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.2 सना ± 8V 43 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
RN2412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LF 0.0309
सराय
 ECAD 8990 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 264-RN2412, LFTR 3,000
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K341 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 2581 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK3127 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीए) 10V 12mohm @ 25a, 10v 3V @ 1MA 66 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2300 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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