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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1964 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN1112(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 (TE85L, F) 0.2200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E, S4X 1.4600
सराय
 ECAD 9249 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 4.5 ए (टीए () 10V 3.1OHM @ 2.3A, 10V 4V @ 450µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 950 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6TOJ, FM -
सराय
 ECAD 5228 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2112 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २२ सिपाही
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 56MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA २.२ सदा +12v, -8v 200 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
सराय
 ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीसी) 6v, 10v 2.44MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2MA 179 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 13000 पीएफ @ 40 वी - 47W (टीसी)
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR (TE85LF -
सराय
 ECAD 8778 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 800MHz
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LXHF 0.6500
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 3.5 ए (टीए) 4V, 10V 134MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 15.1 gapak @ 10 वी +10V, -20V 660 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2118 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 47 10 कांपो
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK50E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 50 ए (टीसी) 12mohm @ 25a, 10v - ५५ सना - -
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2CLAF (एम) -
सराय
 ECAD 3673 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 9502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 300MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K339 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2V @ 1MA 1.1 एनसी @ 4.2 वी ± 12V 130 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-GR (TE85L, एफ 0.3500
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 2SC4944 200 सभा यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W, S5x 1.7300
सराय
 ECAD 4293 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 5.8 ए (टीए () 10V 1ohm @ 2.9a, 10v 3.5V @ 180µA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W, S1X 3.6500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 9.5 ए (टीए टीए) 10V 550MOHM @ 4.8A, 10V 4V @ 450µA 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1150 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (t6fjt, AF -
सराय
 ECAD 6044 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU, LF 0.5200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K2615 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 3.3V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 6 सना ± 20 वी 150 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM, L1Q 1.7000
सराय
 ECAD 3476 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R408 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 2.43MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 8300 पीएफ @ 40 वी - 3 डबthautun (टीए), 210W (टीसी)
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F, S4X 0.9000
सराय
 ECAD 4438 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K9A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 3.7 ए (टीए टीए) 10V 1.9OHM @ 1.9A, 10V 4V @ 400µA 14 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2562 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1103 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 9428 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8066 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 16mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W, S1F 7.8600
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK35N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LF 0.0379
सराय
 ECAD 2065 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2302 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 10 कांपो
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y, MTSAQ (J (J) -
सराय
 ECAD 6264 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1869 १० सन्निक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 600MV @ 200ma, 2a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N (S1, E, S) 2.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SA1943 150 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2SA1943N (S1ES) Ear99 8541.29.0075 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FU-Y (TE85L, F 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2A01 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE, LM 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 13.5pf @ 3V सराय -स
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 61 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-udfn ने पैड को को ranahar rab SSM6H19 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFN (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2V @ 1MA २.२ सदा ± 12V 130 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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