SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-O, T6KEHF (M) -
सराय
ECAD 3158 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC3328 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102T5LFT -
सराय
ECAD 1640 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1102 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LF 0.2000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA1832 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT (TPL3) -
सराय
ECAD 7969 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1108 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २२ सिपाही 47
2SC2235-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (T6OMI, FM -
सराय
ECAD 2579 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
ECAD 1031 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
TK065N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065N65Z, S1F 7.1500
सराय
ECAD 13 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK065N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK065N65ZS1F Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 38 ए (टीए) 10V 65MOHM @ 19A, 10V 4V @ 1.69ma 62 सना ± 30V 3650 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (T6MITIFM -
सराय
ECAD 7080 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2229YT6MITIFM Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SC2229-O(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6SAN2FM -
सराय
ECAD 1326 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2229OT6SAN2FM Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage ULN2004APG, C, N -
सराय
ECAD 9779 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) ULN2004 1.47W 16- - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 25 50 वी 500ma 50 7 सराय 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
2SA1428-Y(T2TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y (T2TR, एफ, एफ, एफ -
सराय
ECAD 4372 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110CT (TPL3) -
सराय
ECAD 2591 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1110 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V ४.7
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B, S1Q 32.4200
सराय
ECAD 104 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TW070J120 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) 264-TW070J120BS1Q Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 1200 वी 36 ए (टीसी) 20 वी 90MOHM @ 18A, 20V 5.8v @ 20ma 67 सना ± 25V, -10V 1680 पीएफ @ 800 वी तमाम 272W (टीसी)
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 (TE85L, F) 0.4500
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1503 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT (TPL3) -
सराय
ECAD 6661 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2113 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 47
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU, LF 0.3500
सराय
ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 13.5pf @ 3V सराय -स
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR, L3F 0.2000
सराय
ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SC6026 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 60MHz
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965 (TE85L, F) 0.0865
सराय
ECAD 3211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1965 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
सराय
ECAD 6945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2702 200MW 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
सराय
ECAD 5601 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 1 डब पीडबmun-मिनी तंग Ear99 8541.29.0095 1 20 वी 4 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 150mv @ 32ma, 1.6a 400 @ 500mA, 2V -
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2701JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2701 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LF 0.2000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W, S1VX 3.0600
सराय
ECAD 3786 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK10E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1962FE (TE85L, F) 0.1500
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1962 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405, LF 0.2200
सराय
ECAD 1371 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2405 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LXHQ 0.9300
सराय
ECAD 3804 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 36.8MOHM @ 12.5A, 4.5V 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1314 (TE85L, F) 0.0474
सराय
ECAD 7121 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1314 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D (STA4, Q, M) 1.9000
सराय
ECAD 5682 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 10 ए (टीए) 10V 720MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 30V 1050 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2909 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU, LF 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v - ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम