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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) R पruguth की स सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग रत्य अय्यरस Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C वोलmume - rurugut वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LQ 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK100S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 सना ± 20 वी 5490 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341, S4X (s 2.0600
सराय
 ECAD 7000 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu तमाम ४५ दुर्विक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 300V, 20A, 33OHM, 15V 90 एनएस - 600 वी 20 ए 80 ए 2V @ 15V, 20A 500 जो (ऑन), 400) जे (बंद) 60NS/240NS
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D (STA4, Q, M) 1.6800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 8 ए (टीए) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS, LF 0.2100
सराय
 ECAD 162 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 300ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS, LF -
सराय
 ECAD 2330 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W, S1VF 16.4000
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK62N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 30.9a, 10v 3.7V @ 3.1MA 180 सनाह ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Gt30j121 (lets) 3.3300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT30J121 तमाम 170 डब से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 300V, 30A, 24OHM, 15V - 600 वी 30 ए 60 2.45V @ 15V, 30A 1MJ (ON), 800µJ (OFF) 90NS/300NS
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 350 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU, LF 0.3600
सराय
 ECAD 2021 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23 ranak @ 4 वी ± 10V 46 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K302 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3 ए (टीए) 1.8V, 4V 71MOHM @ 2A, 4V - ४.३ सना ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304 (एफ) -
सराय
 ECAD 2391 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ304 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 पी-पी 60 वी 14 ए (टीए) 4V, 10V 120MOHM @ 7A, 10V 2V @ 1ma 45 सना ± 20 वी 1200 पीएफ @ 10 वी - 40W (टीसी)
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 6517 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK11A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीए) 10V 650mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1550 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (एफ) -
सराय
 ECAD 7516 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SK2719 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 3 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 750 पीएफ @ 25 वी - 125W (टीसी)
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2107 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4601 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 548 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4601 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 8298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2608 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50DA (STA4, Q, M) 1.6000
सराय
 ECAD 2557 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 7.5 ए (टीए) 10V 1.04OHM @ 3.8A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
2SC2655-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y (6MBH1, AF -
सराय
 ECAD 2308 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H (TE85L, FM -
सराय
 ECAD 7814 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6.1 ए (टीए) 4.5V, 10V 59MOHM @ 3.1A, 10V 2.3V @ 100 @a 12 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 830 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK880 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 50 वी २.६ सना 1.5 वी @ 100 सवार
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 9652 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2902 200MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3010 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D (TE16L1, NV) -
सराय
 ECAD 2534 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK2P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK2P60D (TE16L1NV) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 2 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1A, 10V 4.4V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 30V 280 पीएफ @ 25 वी - 60W (टीसी)
2SA1020-Y(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (ND1, AF) -
सराय
 ECAD 4519 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 7287 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
सराय
 ECAD 9325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK292 500MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q -
सराय
 ECAD 5190 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1QTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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