SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312-BL (TE85L, एफ 0.3300
सराय
ECAD 33 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5-फ, फthu लीड SSM5H90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 2.4 ए (टीए) 2.5V, 4V 65MOHM @ 1.5A, 4V 1.2V @ 1MA २.२ सदा ± 10V 200 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 (T5L, F, T) 0.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT (TPL3) 0.3400
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1107 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LXHF 0.6500
सराय
ECAD 73 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 3.5 ए (टीए) 4V, 10V 134MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 15.1 gapak @ 10 वी +10V, -20V 660 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0.2700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2118 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 47 10 कांपो
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
सराय
ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 100 ए (टीसी) 6v, 10v 2.44MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2MA 179 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 13000 पीएफ @ 40 वी - 47W (टीसी)
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
सराय
ECAD 9502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 300MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
सराय
ECAD 42 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K339 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2V @ 1MA 1.1 एनसी @ 4.2 वी ± 12V 130 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SA1428-O,T2CLAF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2CLAF (एम) -
सराय
ECAD 3673 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1428 900 तंग एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK50E08K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E08K3, S1X (s -
सराय
ECAD 8993 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK50E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 50 ए (टीसी) 12mohm @ 25a, 10v - ५५ सना - -
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL, RQ 0.9600
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK6R7P06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 46 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6.7MOHM @ 23A, 10V 2.5V @ 300µA 26 सना ± 20 वी 1990 पीएफ @ 30 वी - 66W (टीसी)
2SC2235-Y,USNHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, USNHF (एम) -
सराय
ECAD 6441 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H, LQ (s -
सराय
ECAD 9428 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8066 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 16mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W, S1F 7.8600
सराय
ECAD 25 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK35N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F, S4X 0.9000
सराय
ECAD 4438 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK1K9A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 3.7 ए (टीए टीए) 10V 1.9OHM @ 1.9A, 10V 4V @ 400µA 14 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) -
सराय
ECAD 2562 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1103 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR (TE85LF -
सराय
ECAD 8778 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 800MHz
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6KMATFM -
सराय
ECAD 9620 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) 2SC2235YT6KMATFM Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37CTD (TPL3) -
सराय
ECAD 2918 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N37 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 140MW Cst6d तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10v सराय -स
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105CT (TPL3) -
सराय
ECAD 8471 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1105 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L, ZF) -
सराय
ECAD 9451 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 1 डब पीडबmun-मिनी तंग Ear99 8541.29.0095 1 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5, LVQ 4.3000
सराय
ECAD 18 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TA) सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK31V60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 109mohm @ 15.4a, 10v 4.5V @ 1.5MA 105 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 240W (टीसी)
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, F2PANF (J) -
सराय
ECAD 1899 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3668 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0.4200
सराय
ECAD 390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1606 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE (TE85L, F 0.3900
सराय
ECAD 30 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J214 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 30 वी 3.6 ए (टीए) 1.8V, 10V 50mohm @ 3a, 10v 1.2V @ 1MA 7.9 सना ± 12V 560 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A65DA (STA4, Q, M) -
सराय
ECAD 7758 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 3.5 ए (टीए) 10V 1.9OHM @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604 (TE85L, F) 0.0618
सराय
ECAD 1849 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1604 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y, f (j (j (j (j (j (j (j (j) -
सराय
ECAD 7966 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y, T6KEHF (M) -
सराय
ECAD 1154 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2383 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम