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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X, S1X 4.4100
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK25E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 125mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE, LM 0.4500
सराय
 ECAD 108 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6L36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma, 330mA 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10v सराय -स
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
सराय
 ECAD 79 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1605 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4994 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2108 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २२ सिपाही 47
SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV, L3F 0.2500
सराय
 ECAD 58 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a ± 10V 42 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
2SC4604,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 8562 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC4604 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 3 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 75ma, 1.5a 120 @ 100ma, 2v 100MHz
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481 (TOJS, Q, M) -
सराय
 ECAD 3254 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SB1481 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 4 ए 2 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 6MA, 3 ए 2000 @ 3 ए, 2 वी -
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D (TE16L1, NV) -
सराय
 ECAD 2534 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK2P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK2P60D (TE16L1NV) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 2 ए (टीए) 10V 4.3OHM @ 1A, 10V 4.4V @ 1MA 7 स्याह @ 10 वी ± 30V 280 पीएफ @ 25 वी - 60W (टीसी)
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 SSM5N15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3010 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 7287 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
TPCL4203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4203 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2304 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFLGA TPCL4203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग 4-एलजीए एलजीए (1.59x1.59) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 २- चैनल-चैनल - - - 1.2V @ 200 @ - 685pf @ 10v -
SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J64CTC, L3F 0.3900
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J64 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 12 वी 1 ए (टीए) 1.2V, 4.5V 370MOHM @ 600MA, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 50 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC6042,T2HOSH1Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042, T2HOSH1Q (J (J (J (J ( -
सराय
 ECAD 5485 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6042 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 375 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 800ma 100 @ 100ma, 5v -
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
सराय
 ECAD 9325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK292 500MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q -
सराय
 ECAD 5190 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1QTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SA1020-Y(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (ND1, AF) -
सराय
 ECAD 4519 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D (STA4, Q, M) 2.4700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304, LF 0.2200
सराय
 ECAD 8205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1304 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 8706 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK50P03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 30 वी 50 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.5MOHM @ 25A, 10V 2.3V @ 200 @ २५.३ सना ± 20 वी 1700 पीएफ @ 10 वी - 47W (टीसी)
TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L, LXHQ 3.1700
सराय
 ECAD 3367 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TJ200F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.21.0095 1,000 पी-पी 40 वी 200 ए (टीए) 6v, 10v 1.8MOHM @ 100A, 10V 3V @ 1MA ४६० सना +10V, -20V 1280 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC4116FU, LF 0.2400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 TTC4116 100 तंग एससी -70 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A60X, S5x 4.0100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK25A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 125mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH, L1Q 1.5700
सराय
 ECAD 3872 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R306 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 60 ए (टीसी) 6.5V, 10V 2.3MOHM @ 30A, 10V 4V @ 1MA 72 सना ± 20 वी 6100 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU, LF 0.3600
सराय
 ECAD 2021 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3K36 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 500ma (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5v 1V @ 1MA 1.23 ranak @ 4 वी ± 10V 46 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W, S1VF 16.4000
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK62N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 30.9a, 10v 3.7V @ 3.1MA 180 सनाह ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (कैनो, क, क, एम) -
सराय
 ECAD 8364 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SJ438 To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 5 ए (टीजे)
RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV, L3F 0.1700
सराय
 ECAD 6072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1110 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D (STA4, Q, M) 1.6800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 8 ए (टीए) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 800 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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