SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0.3000
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q -
सराय
ECAD 5190 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8104L1QTR Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8MOHM @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 सना +20V, -25V 2260 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D (STA4, Q, M) 2.4700
सराय
ECAD 40 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1350 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A55D (STA4, Q, M) 2.3000
सराय
ECAD 5713 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 10 ए (टीए) 10V 720MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (TPE6, F, M) -
सराय
ECAD 8590 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1314 (TE85L, F) 0.0474
सराय
ECAD 7121 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1314 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CTC, L3F 0.3200
सराय
ECAD 4158 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 200ma (TA) 1.5V, 4.5V 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 12 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3K72KFS,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS, LXHF 0.3300
सराय
ECAD 9054 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 300ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LXHQ 0.9300
सराय
ECAD 3804 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 36.8MOHM @ 12.5A, 4.5V 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F 0.1700
सराय
ECAD 254 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1103 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २२ सिपाही २२ सिपाही
RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV, L3F 0.1700
सराय
ECAD 6072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1110 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V ४.7
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107CT (TPL3) -
सराय
ECAD 1269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1107 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
सराय
ECAD 5601 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 1 डब पीडबmun-मिनी तंग Ear99 8541.29.0095 1 20 वी 4 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 150mv @ 32ma, 1.6a 400 @ 500mA, 2V -
2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-Y, LF 0.2300
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1588 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 100ma, 1v 200MHz
2SC2229-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (TE6, F, M) -
सराय
ECAD 2366 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL, LF 0.3200
सराय
ECAD 6073 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE (TE85L, F) 0.3800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 HN4B01 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी (rur एमिटtur) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312 (TE85L, F) 0.2800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1312 १५० तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
2SC2229-Y(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (SHP1, F, M -
सराय
ECAD 8240 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E, S4X 1.4600
सराय
ECAD 9249 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 4.5 ए (टीए () 10V 3.1OHM @ 2.3A, 10V 4V @ 450µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 950 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6TOJ, FM -
सराय
ECAD 5228 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1964 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 (T5L, F, T) -
सराय
ECAD 8467 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C, S1F 55.4500
सराय
ECAD 114 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 100 ए (टीसी) 18V 21MOHM @ 50A, 18V 5V @ 11.7ma 128 ranah @ 18 वी +25v, -10v 4850 पीएफ @ 400 वी - 342W (टीसी)
ULN2004AFWG,N,E Toshiba Semiconductor and Storage ULN2004AFWG, N, E -
सराय
ECAD 8323 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) ULN2004 1.25W 16-सोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 50 वी 500ma - 7 सराय 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
RN1422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF 0.4200
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1422 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 65 @ 100ma, 1v ३०० तंग २.२ किलो २.२ किलो
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR, LF 0.2000
सराय
ECAD 115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (कैनो, क, क, एम) -
सराय
ECAD 9887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2257 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LF 0.2100
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1316 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम