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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L (T6L1, NQ 2.2100
सराय
 ECAD 3396 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 11.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA १५६ सना +10V, -20V 7760 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ 2.0900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.197 ", 5.00 मिमी ranak) TPH1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LF 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5, RQ 1.5362
सराय
 ECAD 7882 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK14G65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM6L820R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LF 0.5300
सराय
 ECAD 2581 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L820 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V, 45MOHM @ 3.5A, 10V 1V @ 1MA, 1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V -
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (सीटी ((((() 0.2400
सराय
 ECAD 259 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 1303 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL, L1Q 0.7800
सराय
 ECAD 4021 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN3R704 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 80 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.7MOHM @ 40A, 10V 2.4V @ 200 @a 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2500 पीएफ @ 20 वी - 630MW (TA), 86W (TC)
TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F, S4X 0.9400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK2K2A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 3.5 ए (टीए) 10V 2.2OHM @ 1.8A, 10V 4V @ 350µA 13 सराय @ 10 वी ± 30V 450 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 (FJTN, F, M) -
सराय
 ECAD 1055 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2482 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 300 वी 100 सवार 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 1MA, 10mA 30 @ 20MA, 10V 50MHz
RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 8558 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2102 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो 10 कांपो
RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 8001 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1109 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
TPC8022-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H (TE12LQ, M -
सराय
 ECAD 4030 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8022 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 7.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 27MOHM @ 3.8A, 10V 2.3V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2117MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2117 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 10 कांपो ४.7
TK60D08J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1 (CHANTH) -
सराय
 ECAD 6420 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK60D08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 75 वी 60 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.8MOHM @ 30A, 10V 2.3V @ 1MA 86 सभा @ 10 वी ± 20 वी 5450 पीएफ @ 10 वी - 140W (टीसी)
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-GR (TE85L, एफ -
सराय
 ECAD 5513 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 १५० तंग एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 100mA, 1V 300MHz
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6SWFF (एम) -
सराय
 ECAD 8656 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312-BL (TE85L, एफ 0.3300
सराय
 ECAD 33 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R60APL, L1Q 1.3600
सराय
 ECAD 3472 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीसी) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 500µA ५२ सना ± 20 वी 4300 पीएफ @ 50 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2897 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
TTC5200(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200 2.7000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl TTC5200 150 से 3 पी (एल) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 5-फ, फthu लीड SSM5H90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 2.4 ए (टीए) 2.5V, 4V 65MOHM @ 1.5A, 4V 1.2V @ 1MA २.२ सना ± 10V 200 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TTC012(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC012 -
सराय
 ECAD 1714 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TTC012 १.१ डब पीडबmun-मोल २ २ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TTC012Q Ear99 8541.29.0095 200 375 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 62.5ma, 500mA 100 @ 300mA, 5V -
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1, S4X 1.0500
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 35 ए (टीसी) 10V 12.2MOHM @ 17.5A, 10V 4V @ 300µA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1700 पीएफ @ 40 वी - 30W (टीसी)
TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040Z65Z, S1F 12.5400
सराय
 ECAD 2107 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK040Z65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK040Z65ZS1F Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 650 वी 57 ए (टीए) 10V 40mohm @ 28.5a, 10v 4V @ 2.85ma 105 सना ± 30V 6250 पीएफ @ 300 वी - 360W (टीसी)
TPC6503(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6503 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 1614 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6503 1.6 डब वीएस -6 (2.9x2.8) - रोहस अफ़मार TPC6503 (TE85LFM) Ear99 8541.29.0095 3,000 30 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 10MA, 500mA 400 @ 150ma, 2V -
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1655 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8OHM @ 10MA, 4V - 11 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R, LF 0.4600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K2615 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 3.3V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma ± 20 वी 150 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BS, LF -
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 2.1ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA ± 20 वी 17 पीएफ @ 25 वी - 200MW (TA)
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H (TE85L, F -
सराय
 ECAD 2466 0.00000000 तमाम U-mosiii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 2.2 ए (टीए) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.1a, 10v 2.3V @ 1MA 7.5 सराय @ 10 वी ± 20 वी 360 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
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