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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव रत्य अय्यरस Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) अफ़स्या
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 1670 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 १५० तंग एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 50 वी 14 सना हुआ @ 10 वी 1.5 वी @ 100 सवार 14 सना हुआ
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL, L1Q 0.9100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN7R006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 54 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7MOHM @ 27A, 10V 2.5V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1875 पीएफ @ 30 वी - 630MW (TA), 75W (TC)
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV (TL3, T) -
सराय
 ECAD 5110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 1969 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms 10kohms
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J129TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 8685 0.00000000 तमाम U-mosv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J129 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 46MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 8.1 सना ± 8V 640 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1424 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LF (सीटी ((() 0.3500
सराय
 ECAD 3188 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK30S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 30 ए (टीए) 6v, 10v 18ohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 7275 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5.5 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 200 @ 19 सराय @ 5 वी ± 8V 1430 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 4367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2102 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage GT40QR21 (STA1, E, D 3.6200
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 GT40QR21 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT40QR21 (STA1ED Ear99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 एनएस - 1200 वी 40 ए 80 ए 2.7V @ 15V, 40a -, 290) जे (बंद) -
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z, RQ 6.3200
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 38 ए (टीए) 10V 65MOHM @ 19A, 10V 4V @ 1.69ma 62 सना ± 30V 3650 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN1109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV, L3F -
सराय
 ECAD 2875 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1109 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 47 २२ सिपाही
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (सीटी ((() 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2113 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS -
RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1316 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB, L1XHQ 2.2600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPW1R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 120 ए (टीए) 6v, 10v 1.14MOHM @ 60A, 10V 3V @ 500 @ ५५ सना ± 20 वी 4560 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR, LF 0.1800
सराय
 ECAD 62 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N961L, योगिनी 0.8700
सराय
 ECAD 9155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 10-XFLGA, CSP मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 880MW (TA) TCSPAG-341501 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 10,000 २- चैनल-चैनल 30V 9 ए (टीए) 2.3V @ 250µA 17.3nc @ 10v - -
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 285MW (TA) US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma (TA) 1.1OHM @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10v -
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ 1.2600
सराय
 ECAD 5815 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ80S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 80 ए (टीए) 6v, 10v 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 158 KANAK +10V, -20V 7770 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
सराय
 ECAD 7998 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8093 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार TPCC8093L1Q Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 20 वी 21 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5v 1.2V @ 500µA 16 स्याह @ 5 वी ± 12V 1860 पीएफ @ 10 वी - 1.9W (TA), 30W (टीसी)
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (( 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1107 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 47
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 6481 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 10 ए (टीए) 6v, 10v 28MOHM @ 5A, 10V 3V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 410 पीएफ @ 10 वी - 25W (टीसी)
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 325 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 2672 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P50DT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 4 ए (टीए) 10V 2OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 9 सराय @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D (STA4, Q, M) 3.5200
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK18A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18 ए (टीए) 10V 270mohm @ 9a, 10v 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2600 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 (एफ) -
सराय
 ECAD 3399 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 2SK2866 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
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