SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC, L1XHQ 1.2300
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN12006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 20 ए 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी 65W (टीसी)
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E, S4X 1.2300
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TK3A90ES4X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 2.5 ए (टीए) 10V 4.6OHM @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 650 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0.6800
सराय
ECAD 3445 0.00000000 तमाम U-mosx-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN19008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 34 ए (टीसी) 6v, 10v 19MOHM @ 17A, 10V 3.5V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 40 वी - 630MW (TA), 57W (TC)
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
सराय
ECAD 21 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SJ305 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 200ma (TA) 2.5V 4ohm @ 50ma, 2.5v - ± 20 वी 92 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL, S1X 1.4400
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R1E04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 40 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 4670 पीएफ @ 20 वी - 87W (टीसी)
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LF 0.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LXHF 0.7700
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J808 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 40 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 35MOHM @ 2.5A, 10V 2V @ 100 @a २४.२ सदा +10V, -20V 1020 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA (STA4, Q, M 2.7100
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK13A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12.5 ए (टीए) 10V 470MOHM @ 6.3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1550 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS, LF 0.2800
सराय
ECAD 107 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD, L1Q 1.4900
सराय
ECAD 13 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1R712 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 पी-पी 20 वी 60 ए (टीसी) 2.5V, 4.5V 1.7MOHM @ 30A, 4.5V 1.2V @ 1MA 182 सना ± 12V 10900 पीएफ @ 10 वी - 78W (टीसी)
RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1905 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU (TE85L, F) 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 180ma, 100ma 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL, S4X 1.3300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4R3A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 68 ए (टीसी) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 15A, 4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 ranau ± 20 वी 3280 पीएफ @ 30 वी - 36W (टीसी)
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM, S1X 1.4500
सराय
ECAD 172 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 64 ए (टीसी) 6v, 10v 7MOHM @ 32A, 10V 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 87W (टीसी)
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA (STA4, Q, M) 1.6400
सराय
ECAD 6704 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 7.5 ए (टीसी) - - - -
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 222 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1302 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408, LQ (s 0.4700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8408 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 2,500 एन rur पी-चैनल 40v 6.1 ए, 5.3 ए 32MOHM @ 3.1A, 10V 2.3V @ 100 @a 24nc @ 10v 850pf @ 10v सराय -स
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LXHF 0.0645
सराय
ECAD 9319 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L, LQ 2.2100
सराय
ECAD 6460 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TJ90S04M3L, LQCT Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 90 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 45A, 10V 2V @ 1ma 172 सना +10V, -20V 7700 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901, LF (सीटी ((() 0.2600
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 1kohms
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 (TE85L, F) 0.3500
सराय
ECAD 17 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1507 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LF 0.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D (T6RSS-Q) 1.2900
सराय
ECAD 8949 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK5P50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701, LF 0.3000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2701 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TK11S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LQ 0.9400
सराय
ECAD 6545 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK11S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 850 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4981 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LXHF 0.3400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 10 कांपो
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU, LF 0.3300
सराय
ECAD 62 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K17 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 50 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 20ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1 @a ± 7V 7 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112, LXHF (सीटी ((() 0.0624
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1112 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम