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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0.4100
सराय
 ECAD 318 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J356 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 60 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 8.3 सना +10V, -20V 330 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE, LXHF (सीटी ((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4910 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS -
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 45 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 50mA, 500mA 180 @ 100ma, 1v 80MHz
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y (TE85L, F -
सराय
 ECAD 4533 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 1620 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8mohm @ 11a, 10v 2.3V @ 200 @ 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2200 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL, L1Q 1.1500
सराय
 ECAD 7068 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R30 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 66 ए (टीए टीए), 45 टीसी (टीसी) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10v 2.5V @ 500µA ५५ सना ± 20 वी 4300 पीएफ @ 50 वी - 2.5W (टीए), 54W (टीसी)
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6291 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8067 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 690 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 15W (टीसी)
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
सराय
 ECAD 1987 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 20 वी 3 ए (टीए) 2V, 4.5V 49MOHM @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 7.5 सराय @ 5 वी ± 12V 590 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL, LQ 0.8300
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH9R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 34 ए (टीसी) 4.5V, 10V 9.5MOHM @ 17A, 10V 2.5V @ 200 @ 21 सना ± 20 वी 1910 पीएफ @ 30 वी - 830MW (TA), 81W (TC)
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE, LF (सीटी ((((() 0.2700
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC015B, Q 0.6600
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 1.5 डब से -126N तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 250 80 वी 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 2V 150MHz
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W, S1VQ 1.9900
सराय
 ECAD 8673 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK6Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 6.2 ए (टीए टीए) 10V 820MOHM @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4906 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413, LF 0.0309
सराय
 ECAD 2205 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 264-RN2413, LFTR 3,000
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU, LF 0.2500
सराय
 ECAD 68 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3J15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL, S1X 1.2000
सराय
 ECAD 9645 0.00000000 तमाम U-mosix-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 50 ए (टीसी) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 25A, 10V 2.5V @ 300µA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1990 पीएफ @ 30 वी - 81W (टीसी)
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT, L3F 0.3200
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम π-Mosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R, LXHF 0.5800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L820 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.4W (TA) 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V, 45MOHM @ 3.5A, 10V 1V @ 1MA, 1.2V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V, 6.7NC @ 4.5V 310pf @ 15v, 480pf @ 10V -
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2426 (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2426 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v २०० सराय 1 कांप 10 कांपो
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc6135, एलएफ 0.4700
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6135 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 6MA, 300mA 400 @ 100ma, 2v -
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 1220 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2304 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीसी) 10V 4.5MOHM @ 30A, 10V 4V @ 1MA 58 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE, LXHF (सीटी ((((() 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4911 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5, S4VX 2.9700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 1.5MA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J424TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J424 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 22.5MOHM @ 6A, 4.5V 1V @ 1MA २३.१ सना हुआ @ ४.५ वी +6v, -8v 1650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK56E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1, S1X 1.6800
सराय
 ECAD 7085 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK56E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 56 ए (टीए) 10V 7MOHM @ 28A, 10V 4V @ 1MA 69 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 60 वी - 168W (टीसी)
TK28E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W, S1X 5.8100
सराय
 ECAD 6456 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
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