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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5, S1F 11.8200
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK49N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 49.2 ए (टीए) 10V 57MOHM @ 24.6A, 10V 4.5V @ 2.5MA 185 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC, LQ 0.8300
सराय
 ECAD 1735 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN6R303 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 19W (TC)
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W, S4VX 2.1100
सराय
 ECAD 7138 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 5.4 ए (टीए () 10V 900MOHM @ 2.7A, 10V 3.7V @ 270µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 366 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3J117 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 117MOHM @ 1A, 10V 2.6V @ 1MA ± 20 वी 280 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ (s -
सराय
 ECAD 2958 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK12P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK12P60WRVQ (s Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 6863 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2108 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE, LM 0.3800
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6L56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 150MW (TA) Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma (TA) 235MOHM @ 800MA, 4.5V, 390MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 1NC @ 10V 55pf @ 10v, 100pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LF 0.2600
सराय
 ECAD 4593 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8093 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L11 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 500ma 145MOHM @ 250mA, 4V 1.1V @ 100 @a - 268pf @ 10v सराय -स
SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8055-H, LQ (M) -
सराय
 ECAD 2518 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8055 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 56 ए (टीए) 4.5V, 10V 1.9MOHM @ 28A, 10V 2.3V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 7700 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 70W (टीसी)
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH4R50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीसी) 10V 4.5MOHM @ 30A, 10V 4V @ 1MA 58 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 78W (टीसी)
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 5246 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS, LF 0.2800
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 8.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967 (एफ) -
सराय
 ECAD 8942 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SK2967 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 30 ए (टीए) 10V 68MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 1MA 132 सना ± 20 वी 5400 पीएफ @ 10 वी - 150W (टीसी)
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W, S5X 2.7800
सराय
 ECAD 9378 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18.5 ए (टीए () 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790µA 38 सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C, S1F 19.8400
सराय
 ECAD 4984 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 36 ए (टीसी) 18V 78MOHM @ 18A, 18V 5V @ 4.2MA ४६ सना +25v, -10v 1530 पीएफ @ 800 वी - 170W (टीसी)
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2103 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
TK5A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A80E, S4X 1.4300
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 5 ए (टीए) 10V 2.4OHM @ 2.5A, 10V 4V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 950 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4115 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc6135, एलएफ 0.4700
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6135 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 120MV @ 6MA, 300mA 400 @ 100ma, 2v -
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2105 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A (TE85L, F 0.4400
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LF (सीटी ((((() 0.2500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y, t6ashf (j) -
सराय
 ECAD 1248 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 (CHANT) -
सराय
 ECAD 9064 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK55D10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 55 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 27a, 10v 2.3V @ 1MA 110 सना ± 20 वी 5700 पीएफ @ 10 वी - 140W (टीसी)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK33S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 33 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 16.5A, 10V 2.5V @ 500µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2250 पीएफ @ 10 वी - 125W (टीसी)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK35S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए) 6v, 10v 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1370 पीएफ @ 10 वी - 58W (टीसी)
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