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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L, LQ 2.2100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK90S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 90 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.3MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5400 पीएफ @ 10 वी - 157W (टीसी)
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 430mohm @ 4.9a, 10v 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-75, SOT-416 १२० सवार एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2E06PL, S1X 1.7700
सराय
 ECAD 2131 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R2E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 700µA 71 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5000 पीएफ @ 30 वी - 168W (टीसी)
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 2985 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -97 2SK3466 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-((9.2x9.2) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,500 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीए) 10V 1.5OHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 780 पीएफ @ 10 वी - 50w (टीसी)
TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1, S1X 2.9200
सराय
 ECAD 6537 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK65E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 148 ए (टीए) 10V 4.8MOHM @ 32.5A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5400 पीएफ @ 50 वी - 192W (टीसी)
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2604 (TE85L, F) 0.0865
सराय
 ECAD 3829 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2604 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 6043 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 250 वी 4 ए (टीए) 10V 580MOHM @ 2A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LF (सीटी ((() 0.2300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1106 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D, RQ 0.9200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 4 ए (टीए) 10V 1.7OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 100W (टीसी)
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025 (TE12L, Q, M -
सराय
 ECAD 1087 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1MA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 2200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 7873 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0.8900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN4R303 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200 @ 14.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 34W (TC)
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 47
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3132 -
सराय
 ECAD 6621 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 2SK3132 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एल) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 500 वी 50 ए (टीए) 10V 95MOHM @ 25A, 10V 3.4V @ 1MA 280 सना ± 30V 11000 पीएफ @ 10 वी - 250W (टीसी)
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2968 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4336 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) GT10G131 तमाम 1 डब 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 वी 200 ए 2.3V @ 4V, 200A - 3.1/एस/2 संकेत
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3565 (किलो, एम) -
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 तमाम π-Mosiv थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3565 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 5 ए (टीए) 10V 2.5OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1150 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL, S1X 2.3700
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R9E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.9MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 96 सना ± 20 वी 6320 पीएफ @ 50 वी - 230W (टीसी)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 829 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K517 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 39.1MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA ३.२ सदा +12v, -8v 310 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 (TE85L, F) 0.1275
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 ६२५ सदाचार टीएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4908 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47KOHMS
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6115 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G, LF 0.6700
सराय
 ECAD 4667 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 8.5V 31MOHM @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1MA ९। ± 12V 870 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H, LQ (M) -
सराय
 ECAD 1274 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8057 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 42 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 21A, 10V 2.3V @ 500µA 61 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 57W (टीसी)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1, S1X 1.3700
सराय
 ECAD 5104 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK42E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK42E12N1S1X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 88 ए (टीसी) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA ५२ सना ± 20 वी 3100 पीएफ @ 60 वी - 140W (टीसी)
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LQ 1.0300
सराय
 ECAD 5833 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
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