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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 7873 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0.8900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN4R303 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 40 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200 @ 14.8 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA), 34W (TC)
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT (TPL3) 0.3400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 47
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3132 -
सराय
 ECAD 6621 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 2SK3132 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एल) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 500 वी 50 ए (टीए) 10V 95MOHM @ 25A, 10V 3.4V @ 1MA 280 सना ± 30V 11000 पीएफ @ 10 वी - 250W (टीसी)
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2968 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL, LXHF 0.3300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 350 @ 2ma, 6v 80MHz
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131 (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 4336 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) GT10G131 तमाम 1 डब 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 - - 400 वी 200 ए 2.3V @ 4V, 200A - 3.1/एस/2 संकेत
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sk3565 (किलो, एम) -
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 तमाम π-Mosiv थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK3565 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 900 वी 5 ए (टीए) 10V 2.5OHM @ 3A, 10V 4V @ 1MA 28 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 1150 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL, S1X 2.3700
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R9E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.9MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 96 सना ± 20 वी 6320 पीएफ @ 50 वी - 230W (टीसी)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF 0.4100
सराय
 ECAD 829 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K517 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 39.1MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA ३.२ सदा +12v, -8v 310 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 (TE85L, F) 0.1275
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 ६२५ सदाचार टीएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) तमाम 200mv @ 33ma, 1 ए 200 @ 300ma, 2V -
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4908 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms 47KOHMS
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W, S1Q -
सराय
 ECAD 2199 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TK14C65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक I2pak तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TPC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 6115 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G, LF 0.6700
सराय
 ECAD 4667 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6J771 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 2.5V, 8.5V 31MOHM @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1MA ९। ± 12V 870 पीएफ @ 10 वी - 1.2W (TA)
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H, LQ (M) -
सराय
 ECAD 1274 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8057 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 42 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 21A, 10V 2.3V @ 500µA 61 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 57W (टीसी)
TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1, S1X 1.3700
सराय
 ECAD 5104 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK42E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK42E12N1S1X Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 88 ए (टीसी) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA ५२ सना ± 20 वी 3100 पीएफ @ 60 वी - 140W (टीसी)
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LQ 1.0300
सराय
 ECAD 5833 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK25S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 25 ए (टीए) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 855 पीएफ @ 10 वी - 57W (टीसी)
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 1 कांप 10 कांपो
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Rn49a1 200MW US6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47KOHMS
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1115 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 47 47
TK190E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z, S1X 2.7800
सराय
 ECAD 156 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 15 ए (टीए) 10V 190mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 1370 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1117 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2606 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 1257 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2130 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V 100 कांप 100 कांप
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU, LF 0.5200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K406 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4.4 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 1MA 12.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 490 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LF 0.4200
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6N62 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 500MW (TA) Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma (TA) 85MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.2v ड
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