SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव रत्य अय्यरस Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-GR, LF 0.3100
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 50mA, 500mA 180 @ 100ma, 1v 100MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120, LQ (cm -
सराय
ECAD 9207 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 3mohm @ 22.5a, 10v 2V @ 1ma 190 सारा @ 10 वी +20V, -25V 7420 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC144E, LM 0.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC144 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 77 @ 5MA, 5V २५० तंग 47
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ 1.5800
सराय
ECAD 1308 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK60S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 4320 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LF 0.1800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 (TE24R, Q) -
सराय
ECAD 2638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2266 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 60 वी 45 ए (टीए) 4V, 10V 30mohm @ 25a, 10v 2V @ 1ma 60 सना ± 20 वी 1800 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
सराय
ECAD 5685 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय 5.6
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2F (J (J) -
सराय
ECAD 2388 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
ECAD 4319 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU, LF 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J401 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2.5 ए (टीए) 4V, 10V 73MOHM @ 2A, 10V 2.6V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 15 वी - 500MW (TA)
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LXHF 0.3900
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2303 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R, LF 0.3800
सराय
ECAD 46 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J378 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 29.8MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8052 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 2110 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0.9600
सराय
ECAD 3131 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK15S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 100 @a 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 610 पीएफ @ 10 वी - 46W (टीसी)
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
सराय
ECAD 6715 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 264-SSM3K121TU Ear99 8541.21.0095 1 n- चैनल 20 वी 3.2 ए (टीए) 1.5V, 4V 48MOHM @ 2A, 4V 1V @ 1MA ५. ९ सराय @ ४ वी ± 10V 400 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
TK110N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z, S1F 5.8800
सराय
ECAD 6715 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5x 6.5000
सराय
ECAD 8817 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 50w (टीसी)
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303, LF 0.1800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H (TE12L, Q) -
सराय
ECAD 8737 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8A02 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 16 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 8a, 10v 2.3V @ 1MA 34 सना ± 20 वी 1970 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L (T6L1, NQ 1.7200
सराय
ECAD 1939 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ40S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 40 ए (टीए) 6v, 10v 9.1MOHM @ 20A, 10V 3V @ 1MA 83 सना +10V, -20V 4140 पीएफ @ 10 वी - 68W (टीसी)
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964 (TE85L, F) 0.4800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2964 100MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J825R, LF 0.4400
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J825 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 45MOHM @ 4A, 10V 2V @ 250µA ६.२ सना +10V, -20V 492 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Gt60n321 (lestus) -
सराय
ECAD 5273 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl GT60N321 तमाम 170 डब से 3 पी (एलएच) - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 100 - 2.5 µs - 1000 वी 60 120 ए 2.8V @ 15V, 60a - 330NS/700NS
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L, LQ 2.2100
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK90S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 90 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.3MOHM @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5400 पीएफ @ 10 वी - 157W (टीसी)
TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2E06PL, S1X 1.7700
सराय
ECAD 2131 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK3R2E06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 700µA 71 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5000 पीएफ @ 30 वी - 168W (टीसी)
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK10P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 430mohm @ 4.9a, 10v 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0.2800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
TK650A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK650A60F, S4X 1.3400
सराय
ECAD 48 0.00000000 तमाम यू-मोसिक नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK650A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीए) 10V 650mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 1.16MA 34 सना ± 30V 1320 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम