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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J825R, LF 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J825 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 45MOHM @ 4A, 10V 2V @ 250µA ६.२ सना +10V, -20V 492 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2964 100MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE, LF (सीटी ((((() 0.2400
सराय
 ECAD 350 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4901 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2F (J (J) -
सराय
 ECAD 2388 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 4160 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8001 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 22 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 2500 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU, LF 0.3000
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10K3, S1X (s -
सराय
 ECAD 9070 0.00000000 तमाम यू-यू नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK40E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीए) 15MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 84 सना 4000 पीएफ @ 10 वी - -
TK4P60DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DA (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 2953 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P60DAT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 3.5 ए (टीए) 10V 2.2OHM @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, नेटक -
सराय
 ECAD 6462 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6J414 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 22.5MOHM @ 6A, 4.5V 1V @ 1MA २३.१ सना हुआ @ ४.५ वी ± 8V 1650 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y, t6wnlf (j) -
सराय
 ECAD 2036 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2655 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 50mA, 500mA 120 @ 100ma, 1v 100MHz
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026 (TE12L, Q, M 1.8800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8026 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 23A, 10V 2.5V @ 1MA 113 सना ± 20 वी 4200 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705, LF 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2705 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R, LF 0.5100
सराय
 ECAD 128 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3K361 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.2W (TA)
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-GR, LF 0.3100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 सभा एस-एस तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 50mA, 500mA 180 @ 100ma, 1v 100MHz
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120, LQ (cm -
सराय
 ECAD 9207 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 45 ए (टीए) 4.5V, 10V 3mohm @ 22.5a, 10v 2V @ 1ma 190 सारा @ 10 वी +20V, -25V 7420 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2111 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 10 कांपो
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ 1.5800
सराय
 ECAD 1308 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK60S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 4320 पीएफ @ 10 वी - 180W (टीसी)
TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC144E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC144 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 77 @ 5MA, 5V २५० तंग 47
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266 (TE24R, Q) -
सराय
 ECAD 2638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK2266 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 60 वी 45 ए (टीए) 4V, 10V 30mohm @ 25a, 10v 2V @ 1ma 60 सना ± 20 वी 1800 पीएफ @ 10 वी - 65W (टीसी)
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LF 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5x 6.5000
सराय
 ECAD 8817 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 50w (टीसी)
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303, LF 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1303 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H (TE12L, Q) -
सराय
 ECAD 8737 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8A02 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 16 ए (टीए) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 8a, 10v 2.3V @ 1MA 34 सना ± 20 वी 1970 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128, LQ (सेमी (सेमी) -
सराय
 ECAD 6650 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8128 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 34 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.8MOHM @ 17A, 10V 2V @ 500µA 115 सना +20V, -25V 4800 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R, LXHF 0.7000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K810 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
सराय
 ECAD 3287 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK39J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 65MOHM @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9ma 135 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
TK110N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110N65Z, S1F 5.8800
सराय
 ECAD 6715 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 190W (टीसी)
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF -
सराय
 ECAD 2107 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 HN4K03 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 2.5V 12ohm @ 10ma, 2.5v - 10V 8.5 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
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