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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम Raurautum की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1308 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Y (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 2SA1873 200MW यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 the (rurी) rana जोड़ी, आम एमिट एमिट 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W, S1VF 5.5100
सराय
 ECAD 7989 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK39N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 38.8 ए (टीए टीए) 10V 65MOHM @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9ma 110 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 270W (टीसी)
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 9019 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2102 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 60 @ 10MA, 5V 10 कांपो 10 कांपो
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF 0.3000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2603 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2603 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C, S1F 20.2700
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 58 ए (टीसी) 18V 38MOHM @ 29A, 18V 5V @ 3MA 65 सना +25v, -10v 2288 पीएफ @ 400 वी - 156W (टीसी)
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 0.8400
सराय
 ECAD 6705 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TTC008 १.१ डब पीडबmun-मोल २ २ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TTC008Q Ear99 8541.29.0095 200 285 वी 1.5 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 62.5ma, 500mA 80 @ 1MA, 5V -
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881 (कैनो, एम, एम) -
सराय
 ECAD 8922 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4881 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 125ma, 2.5a 100 @ 1 ए, 1 वी 100MHz
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS, LF 0.2000
सराय
 ECAD 133 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 SSM3K72 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 170ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, F, M -
सराय
 ECAD 2604 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
2SC2229(TE6SAN1F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229 (TE6SAN1F, M -
सराय
 ECAD 3354 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 (शयरा -
सराय
 ECAD 9650 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4604 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, इल्क (एम) -
सराय
 ECAD 9800 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SB1495 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 2 ए, 2 वी -
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN111111ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 3758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1111 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8061 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100MHz
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881, LS1SUMIF (एम) -
सराय
 ECAD 5712 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4881 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 125ma, 2.5a 100 @ 1 ए, 1 वी 100MHz
TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R003PL, LQ 0.9100
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH2R003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 2mohm @ 50a, 10v 2.1V @ 500µA 86 सभा @ 10 वी ± 20 वी 6410 पीएफ @ 15 वी - 830MW (TA), 116W (TC)
RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1423TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1423 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 70 @ 100ma, 1v ३०० तंग ४.7 ४.7
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2421 (TE85L, F) 0.0906
सराय
 ECAD 3541 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2421 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 2MA, 50mA 60 @ 100ma, 1v २०० सराय 1 कांप 1 कांप
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LF 0.1700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2310 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय ४.7
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
सराय
 ECAD 8348 0.00000000 तमाम U-mosii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J14 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2.7 ए (टीए टीए) 4V, 10V 85MOHM @ 1.35A, 10V - ± 20 वी 413 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA)
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606 (TE85L, F) 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4606 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601 (TE85L, F) 0.4500
सराय
 ECAD 253 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2601 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3054 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L13 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma (TA) 143MOHM @ 600MA, 4V, 234MOHM @ 600MA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v, 250pf @ 10V लॉजिक लेवल गेट गेट
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8612 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8036 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 19A, 10V 2.3V @ 500µA ५० सदाबहार @ १० ± 20 वी 4600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
सराय
 ECAD 8927 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK35E10 - को -220 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR, LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW, 210MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 150MHz
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22 (STA1, E, S) 4.7900
सराय
 ECAD 2570 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50JR22 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2.2V @ 15V, 50 ए - -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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