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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) Raurautum की स सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
सराय
 ECAD 4795 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK12P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1502 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y, LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1298 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 20MA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 120MHz
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2962 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 1kohms
2SA1837,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 8030 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2903 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R1A10PL, S4X 2.0400
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4R1A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 80 ए (टीसी) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 40A, 10V 2.5V @ 1MA 104 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 6320 पीएफ @ 50 वी - 54W (टीसी)
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L, F) 1.2713
सराय
 ECAD 3591 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 20 वी सतह rurcur To-243aa RFM01U7 520MHz MOSFET पीडबmun-मिनी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 1 क 100 सवार 1.2W 10.8db - 7.2 वी
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E, S1E 2.7900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK9J90 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 900 वी 9 ए (टीए) 10V 1.3OHM @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA ४६ सना ± 30V 2000 पीएफ @ 25 वी - 250W (टीसी)
TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H (TE12L, QM -
सराय
 ECAD 2642 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8035 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 18 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 9A, 10V 2.3V @ 1MA 82 सभा @ 10 वें ± 20 वी 7800 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3024 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 (एफ) -
सराय
 ECAD 7510 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 2SK2917 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3P (n) है तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 18 ए (टीए) 10V 270mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 80 सीन @ 10 वी ± 30V 3720 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3 (S1SS-Q) -
सराय
 ECAD 8927 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 TK35E10 - को -220 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK35E10K3S1SSQ Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - -
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22 (STA1, E, S) 4.7900
सराय
 ECAD 2570 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50JR22 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2.2V @ 15V, 50 ए - -
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8612 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8036 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीए) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 19A, 10V 2.3V @ 500µA ५० सदाबहार @ १० ± 20 वी 4600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (ONK, Q, M) -
सराय
 ECAD 2894 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 9399 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3054 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L13 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma (TA) 143MOHM @ 600MA, 4V, 234MOHM @ 600MA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v, 250pf @ 10V लॉजिक लेवल गेट गेट
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR, LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW, 210MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 150MHz
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1911fete85lf -
सराय
 ECAD 8032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1911 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4213 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, LS4ALPSQ (एम) -
सराय
 ECAD 5024 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2129 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 2v @ 12ma, 3 ए 2000 @ 1.5a, 3V -
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (एम) -
सराय
 ECAD 9931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL (TE85L, एफ -
सराय
 ECAD 9331 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 १५० तंग To-236 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
सराय
 ECAD 7428 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK155A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 18 ए (टीए) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730µA २ ९ सराय @ १० वी ± 30V 1635 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6CNO, एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 2426 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SB1457 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 50MHz
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (किलो) -
सराय
 ECAD 1323 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK4016 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 13 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 62 सना ± 30V 3100 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE, LM 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N37 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10v सराय -स
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
सराय
 ECAD 5246 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF 0.5600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -59-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 200ma (TA) 2.5V 2OHM @ 50mA, 2.5V 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 70 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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