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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W, S1VQ 3.0600
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK10Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 430mohm @ 4.9a, 10v 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W, S1VF 9.2900
सराय
 ECAD 1508 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK31N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5MA 86 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE, LM -
सराय
 ECAD 2051 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6P35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 100ma 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V -
TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04K3L (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 5095 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK65S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 65 ए (टीए) 6v, 10v 4.5MOHM @ 32.5A, 10V 3V @ 1MA 63 सना ± 20 वी 2800 पीएफ @ 10 वी - 88W (टीसी)
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W5, S5VX 3.2700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK20A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 175MOHM @ 10A, 10V 4.5V @ 1MA ५५ सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TA) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K513 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.9MOHM @ 4A, 10V 2.1V @ 100 @a 7.5 सना ± 20 वी 1130 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R, LF 0.4500
सराय
 ECAD 181 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J332 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 10V 42MOHM @ 5A, 10V 1.2V @ 1MA 8.2 सना ± 12V 560 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2507 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL, LQ 0.9300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6mohm @ 19a, 10v 2.3V @ 200 @ 17 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 1400 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (TA), 34W (टीसी)
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 9782 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2117 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 1272 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v - ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV (TPL3) 0.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2119 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 1 कांप
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 166 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, SSM3J130 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 25.8MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 ranak @ 4.5 वी ± 8V 1800 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672-O (T2ASH, FM -
सराय
 ECAD 7881 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3672 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 300 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 2MA, 20mA 30 @ 20MA, 10V 80MHz
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
सराय
 ECAD 4795 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK12P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y, LF 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1298 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 25 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 20MA, 500mA 160 @ 100ma, 1v 120MHz
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y (T5L, F, T -
सराय
 ECAD 1894 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 150MHz
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE, LM 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 800ma 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1NC @ 4.5V 55pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 1.5v ड
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 7266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1967 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z, S4X 4.7900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK090A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 200ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.35 सना ± 20 वी 17 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 8234 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2962 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 1kohms
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, LS4ALPSQ (एम) -
सराय
 ECAD 5024 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2129 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 2v @ 12ma, 3 ए 2000 @ 1.5a, 3V -
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN1502 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X, S1X 5.6700
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK31E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2106 100 तंग Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V ४.7 47
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (एम) -
सराय
 ECAD 9931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
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