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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SA965-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O, F (J (J (J (J -
सराय
 ECAD 9399 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 2702 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2105 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 10MA, 5V २.२ किलो 47
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L13TU (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 3054 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L13 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma (TA) 143MOHM @ 600MA, 4V, 234MOHM @ 600MA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v, 250pf @ 10V लॉजिक लेवल गेट गेट
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR, LF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW, 210MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 150MHz
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1911fete85lf -
सराय
 ECAD 8032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1911 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y, f (j (j (j (j (j (j (j (j -
सराय
 ECAD 8296 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4213 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30A 350 @ 4MA, 2V 30MHz
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, LS4ALPSQ (एम) -
सराय
 ECAD 5024 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2129 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 100 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 2v @ 12ma, 3 ए 2000 @ 1.5a, 3V -
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (एम) -
सराय
 ECAD 9931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL (TE85L, एफ -
सराय
 ECAD 9331 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 १५० तंग To-236 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 1MA, 10MA 350 @ 2ma, 6v 100MHz
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
सराय
 ECAD 7428 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK155A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 18 ए (टीए) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730µA २ ९ सराय @ १० वी ± 30V 1635 पीएफ @ 300 वी - 40W (टीसी)
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6CNO, एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 2426 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SB1457 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 50MHz
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (किलो) -
सराय
 ECAD 1323 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SK4016 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 13 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 62 सना ± 30V 3100 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE, LM 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N37 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 250ma 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA - 12pf @ 10v सराय -स
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5x -
सराय
 ECAD 5246 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF 0.5600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -59-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 200ma (TA) 2.5V 2OHM @ 50mA, 2.5V 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 70 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z (T6L1, NQ -
सराय
 ECAD 6132 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 100 वी 40 ए (टीए) 10V 18MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 61 सना ± 20 वी 3110 पीएफ @ 10 वी - 93W (टीसी)
2SA1020-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6CN, A, F -
सराय
 ECAD 6615 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2506 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC011B, Q 0.6300
सराय
 ECAD 27 0.00000000 तमाम - शिर शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 1.5 डब से -126N तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 250 230 वी 1 ए 200NA (ICBO) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 1192 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 1755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1111 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W, RVQ 1.7400
सराय
 ECAD 4404 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK6P60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 6.2 ए (टीए टीए) 10V 820MOHM @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU, LF 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K407 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 300MOHM @ 1A, 10V 2V @ 1ma 6 सना ± 20 वी 150 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, CKF (J (J (J (J ( -
सराय
 ECAD 2405 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (पियो, एम, एम,) -
सराय
 ECAD 8587 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L (T6L1, NQ 1.3300
सराय
 ECAD 2224 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ15S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 15 ए (टीए) 6v, 10v 50mohm @ 7.5a, 10v 3V @ 1MA 36 सना +10V, -20V 1770 पीएफ @ 10 वी - 41W (टीसी)
TPC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 9337 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8067 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10v 2.3V @ 100 @a ९। ± 20 वी 690 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK155U65Z, RQ 3.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 18 ए (टीए) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730µA २ ९ सराय @ १० वी ± 30V 1635 पीएफ @ 300 वी - 150W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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