SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
सराय
 ECAD 9958 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3208R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3208RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
FR6M05 GeneSiC Semiconductor Fr6m05 5.0745
सराय
 ECAD 8511 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6m05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MBR8080R GeneSiC Semiconductor MBR8080R 22.1985
सराय
 ECAD 7315 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8080 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8080RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 80 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
सराय
 ECAD 6615 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA500100 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1000 वी 500 ए (डीसी) 1.2 वी @ 500 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
सराय
 ECAD 8410 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S70V तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S70VRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 70 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 29.3250
सराय
 ECAD 9279 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GA10SICP12 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 वी 25 ए (टीसी) - 100mohm @ 10a - - 1403 पीएफ @ 800 वी - 170W (टीसी)
MBRF120100R GeneSiC Semiconductor MBRF120100R -
सराय
 ECAD 3387 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 60 ए 840 mV @ 60 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1N1204AR 4.2345
सराय
 ECAD 8105 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N1204AR तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1064 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
MBR2X050A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A150 43.6545
सराय
 ECAD 4549 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 150 वी 50 ए 880 mV @ 50 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
FR40G02 GeneSiC Semiconductor Fr40g02 16.1200
सराय
 ECAD 406 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1063 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 40 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
FR6D05 GeneSiC Semiconductor Fr6d05 8.1330
सराय
 ECAD 7538 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6d05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
MBR2X160A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A100 59.6700
सराय
 ECAD 9497 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X160 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 100 वी 160A 840 mV @ 160 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
S85QR GeneSiC Semiconductor S85QR 11.8980
सराय
 ECAD 4824 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S85Q तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1096 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
KBPC25005W GeneSiC Semiconductor KBPC25005W 2.2995
सराय
 ECAD 3128 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से ४-yri, केबीपीसी-डब KBPC25005 तमाम केबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µa @ 50 वी 25 ए सिंगल फेज़ 50 वी
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W10M -
सराय
 ECAD 4910 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirchur, WOM तमाम कांपना तंग 1 (असीमित) 2W10MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 1000 V 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
MBRT200200 GeneSiC Semiconductor MBRT200200 98.8155
सराय
 ECAD 2839 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 100 ए 920 mV @ 100 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
सराय
 ECAD 2810 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA50060 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 500 ए (डीसी) 1.2 वी @ 500 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60020RL GeneSiC Semiconductor MBRT60020RL -
सराय
 ECAD 2670 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 20 वी 300 ए 580 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
सराय
 ECAD 2660 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 100 वी 50 ए 840 mV @ 50 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
सराय
 ECAD 5731 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए 580 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A100 51.8535
सराय
 ECAD 3033 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X120 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 100 वी 120 ए 840 mV @ 120 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N 24.2385
सराय
 ECAD 2827 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GD2X30MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 650 वी 42 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
MBRTA500200 GeneSiC Semiconductor MBRTA500200 -
सराय
 ECAD 6348 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 250A 920 mV @ 250 ए 4 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
सराय
 ECAD 6743 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3008 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 150A 840 mV @ 150 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
सराय
 ECAD 1506 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3765R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3765RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 700 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MBRTA60020 GeneSiC Semiconductor MBRTA60020 -
सराय
 ECAD 9514 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 300 ए 700 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC25010T GeneSiC Semiconductor GBPC25010T 2.5305
सराय
 ECAD 6504 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC25010 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46 52.4500
सराय
 ECAD 8029 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर होल के kaytaumauth से से -206ab, से 46-3 ranaute r क सकते हैं हैं हैं GB02SHT06 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -46 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1256 Ear99 8541.10.0080 200 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.6 वी @ 1 ए 0 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 225 ° C 4 ए 76pf @ 1V, 1MHz
S300JR GeneSiC Semiconductor S300JR 63.8625
सराय
 ECAD 7950 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum एस 300 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S300JRGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 100 वी -60 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
MBRH12040R GeneSiC Semiconductor MBRH12040R 65.2300
सराय
 ECAD 45 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य MBRH12040 शोट्की, रयरी डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1067 Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 700 एमवी @ 120 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 120 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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