SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार शराबी तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम कसना कांपना अफ़म सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor MUR20040CT 101.6625
सराय
 ECAD 6926 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR20040 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR20040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 100 ए 1.3 वी @ 50 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
2N7635-GA GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA -
सराय
 ECAD 9225 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-257-3 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) TO-257 - रोहस 1 (असीमित) 1242-1146 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 वी 4 ए (टीसी टीसी) (165 letir डिग ktun) - 415mohm @ 4a - - 324 पीएफ @ 35 वी - 47W (टीसी)
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N1200 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1065 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N 82.9100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 अफ़र्याशियस एमएसपी नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GD2X Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD2X100MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 1200 वी 136 ए (डीसी) 1.8 वी @ 100 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
सराय
 ECAD 64 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR30J02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 30 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
सराय
 ECAD 6381 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X160 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 150 वी 160A 880 mV @ 160 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF30040R GeneSiC Semiconductor MBRF30040R -
सराय
 ECAD 6150 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3004 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 150A 700 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X050A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A080 43.6545
सराय
 ECAD 5522 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 80 वी 50 ए 840 mV @ 50 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N3289A GeneSiC Semiconductor 1N3289A 33.5805
सराय
 ECAD 1299 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3289 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3289AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.5 वी @ 100 ए 24 सना हुआ @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
सराय
 ECAD 1580 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT25080 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 800 वी 250 ए (डीसी) 1.2 वी @ 250 ए 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 -
सराय
 ECAD 9808 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GB05SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-252 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 2 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 260pf @ 1V, 1MHz
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor MBR20080CT 90.1380
सराय
 ECAD 7252 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR20080 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR20080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 200 ए (डीसी) 840 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी
MSRTA200140D GeneSiC Semiconductor MSRTA200140D 142.3575
सराय
 ECAD 1737 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA200 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA200140D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1400 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
सराय
 ECAD 4850 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GA20JT12 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 वी 45 ए (टीसी) - 60mohm @ 20a - - 3091 पीएफ @ 800 वी - 282W (टीसी)
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
सराय
 ECAD 1326 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर GD05MPS - 1242-GD05MPS17J Ear99 8541.10.0080 1
MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor MBR400200CTR 98.8155
सराय
 ECAD 6652 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR400200 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 200A 920 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20030 GeneSiC Semiconductor MBRF20030 -
सराय
 ECAD 3637 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 100 ए 700 एमवी @ 100 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC50005T GeneSiC Semiconductor KBPC50005T 2.5875
सराय
 ECAD 9886 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-yrigh, kbpc-t KBPC50005 तमाम KBPC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 25 ए 5 µa @ 50 वी 50 ए सिंगल फेज़ 50 वी
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
सराय
 ECAD 3281 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ५-मॉड तमाम 5-एसएमडी - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 वी @ 100 ए 10 सना हुआ @ 800 वी 100 ए तीन फ़ेज़ 800 वी
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
सराय
 ECAD 5296 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt SD4145 शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 680 mV @ 30 ए 1.5 सना -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
सराय
 ECAD 1831 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12MGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
सराय
 ECAD 1556 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT300200 GeneSiC Semiconductor MBRT300200 107.3070
सराय
 ECAD 7152 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 150A 920 mV @ 150 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 3.1200
सराय
 ECAD 6092 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GC08MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 8 ए 0 एनएस 7 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 40 ए 545pf @ 1V, 1MHz
GBJ6D GeneSiC Semiconductor GBJ6D 0.6645
सराय
 ECAD 1569 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ6 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ6D Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 3 ए 5 µa @ 200 वी 6 ए सिंगल फेज़ 200 वी
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
सराय
 ECAD 4589 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 100 ए 880 mV @ 100 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60100 GeneSiC Semiconductor MBR60100 20.2695
सराय
 ECAD 8156 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR60100 schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60100GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MUR2560R GeneSiC Semiconductor Mur2560r 10.1910
सराय
 ECAD 2236 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt Mur2560 तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur2560rgn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 25 ए 90 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
MURT10005 GeneSiC Semiconductor MURT10005 -
सराय
 ECAD 8545 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mut10005gn Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263 53.7500
सराय
 ECAD 37 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA - GA20SICP12 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1194 Ear99 8541.29.0095 50 - 20 ए 1.2 केवी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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