SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MBRH240200R GeneSiC Semiconductor MBRH240200R 76.4925
सराय
ECAD 2704 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH240200 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 240 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBR8060R GeneSiC Semiconductor MBR8060R 22.1985
सराय
ECAD 9797 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8060 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8060RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 160 ° C 80 ए -
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
सराय
ECAD 1711 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3SM schottky D61-3SM तंग 1 (असीमित) तमाम FST83100SMGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 80 ए (डीसी) 840 mV @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBRT500100R GeneSiC Semiconductor MBRT500100R -
सराय
ECAD 5065 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT500100RGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 250A 880 mV @ 250 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
सराय
ECAD 8792 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40YGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 160 ° C 40 ए -
FR40J05 GeneSiC Semiconductor Fr40J05 12.8985
सराय
ECAD 8073 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr40j05gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 40 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
सराय
ECAD 5034 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR16BR02GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 mV @ 16 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
MBRTA50035 GeneSiC Semiconductor MBRTA50035 -
सराय
ECAD 9945 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 250A 700 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC3502W GeneSiC Semiconductor GBPC3502W 2.8650
सराय
ECAD 7330 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC3502 तमाम जीबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBPC3502WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 17.5 ए 5 µa @ 200 वी 35 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1N1183R 6.2320
सराय
ECAD 7189 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1183R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N1183RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
सराय
ECAD 8514 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-yrigh, GBPC-T GBPC15010 तमाम जीबीपीसी-जीबीपीसी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 7.5 ए 5 µA @ 1000 V 15 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
UFT14020 GeneSiC Semiconductor UFT14020 -
सराय
ECAD 6916 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab तमाम To-249ab - 1 (असीमित) UFT14020GS Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 70A 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30045L GeneSiC Semiconductor MBRT30045L -
सराय
ECAD 9877 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 150A 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
सराय
ECAD 4573 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB152 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB152GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 100 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
सराय
ECAD 2241 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1400 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
MBRF600200 GeneSiC Semiconductor MBRF600200 -
सराय
ECAD 6418 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 300 ए 920 mV @ 300 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0.1980
सराय
ECAD 2293 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB104 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
S380Y GeneSiC Semiconductor S380Y 69.8500
सराय
ECAD 1 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S380 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.2 वी @ 380 ए 10 µa @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C 380A -
GBU10M GeneSiC Semiconductor GBU10M 1.6300
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU10 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU10MGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 10 ए 5 µA @ 1000 V 10 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBU10J GeneSiC Semiconductor Gbu10j 1.6300
सराय
ECAD 7 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU10 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU10JGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 5 ए 5 µA @ 600 V 10 ए सिंगल फेज़ 600 वी
MURTA20040 GeneSiC Semiconductor MURTA20040 145.3229
सराय
ECAD 3322 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 100 ए 1.3 वी @ 100 ए 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor MURTA300120 159.9075
सराय
ECAD 2294 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 150A 2.6 वी @ 150 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X050A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A180 43.6545
सराय
ECAD 6918 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 180 वी 50 ए 920 mV @ 50 ए 3 सना हुआ @ 180 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA -
सराय
ECAD 5782 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-257-3 1N8030 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-257 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.39 वी @ 750 एमए 0 एनएस 5 @a @ 650 V -55 ° C ~ 250 ° C 750ma 76pf @ 1V, 1MHz
MBR8080R GeneSiC Semiconductor MBR8080R 22.1985
सराय
ECAD 7315 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR8080 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8080RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 80 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
MBR6020R GeneSiC Semiconductor MBR6020R 21.3105
सराय
ECAD 3641 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR6020 शोट्की, राइबरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6020RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor MBR20080CT 90.1380
सराय
ECAD 7252 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR20080 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR20080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 200 ए (डीसी) 840 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी
GKR71/16 GeneSiC Semiconductor GKR71/16 12.8167
सराय
ECAD 6710 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt GKR71 तमाम Do-5 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.5 वी @ 60 ए 10 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
MURH7040 GeneSiC Semiconductor मुह 7040 49.5120
सराय
ECAD 9358 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 तमाम डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 70 ए 90 एनएस 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 155 ° C 70A -
MBRT20030R GeneSiC Semiconductor MBRT20030R 98.8155
सराय
ECAD 7651 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT20030 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT20030RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100 ए 750 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम