SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
FST160150 GeneSiC Semiconductor FST160150 75.1110
सराय
 ECAD 6755 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 80 ए 880 mV @ 80 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH15035L GeneSiC Semiconductor MBRH15035L -
सराय
 ECAD 2604 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 35 वी 150A -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
सराय
 ECAD 4983 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 680 mV @ 30 ए 1.5 सना -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
MBR2X120A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A045 57.0900
सराय
 ECAD 3752 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X120 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1304 Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 45 वी 120 ए 700 एमवी @ 120 ए 1 पायल @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MUR2505 GeneSiC Semiconductor MUR2505 10.1910
सराय
 ECAD 4018 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur2505gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 25 ए 75 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor MBR50045CTR -
सराय
 ECAD 3546 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर शोट्की, रयरी सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR50045CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 250A 750 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A120 50.2485
सराय
 ECAD 7272 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X100 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 120 वी 100 ए 880 mV @ 100 ए 3 सना हुआ @ 120 वी -40 ° C ~ 150 ° C
S380Z GeneSiC Semiconductor S380Z 83.7480
सराय
 ECAD 8357 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S380 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S380ZGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2000 वी 1.2 वी @ 380 ए 10 µa @ 1600 V -60 ° C ~ 180 ° C 380A -
FR70DR02 GeneSiC Semiconductor FR70DR02 17.7855
सराय
 ECAD 6713 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR70DR02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 70 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
MBRTA50020R GeneSiC Semiconductor MBRTA50020R -
सराय
 ECAD 2232 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 150 वी 250A 880 mV @ 250 ए 4 सना हुआ @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S16J GeneSiC Semiconductor S16J 4.5900
सराय
 ECAD 9779 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 16 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
1N3891 GeneSiC Semiconductor 1N3891 9.3000
सराय
 ECAD 196 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3891 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
S6J GeneSiC Semiconductor एस 6 जे 3.8625
सराय
 ECAD 9714 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6JGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
MUR40020CT GeneSiC Semiconductor MUR40020CT 132.0780
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR40020 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR40020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 200A 1.3 वी @ 125 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
सराय
 ECAD 7861 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH20035GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
MSRTA200160D GeneSiC Semiconductor MSRTA200160D 142.3575
सराय
 ECAD 4329 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA200 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA200160D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1600 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µa @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB10SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 -
सराय
 ECAD 5900 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GB10SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-252 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 2 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 520pf @ 1V, 1MHz
GBU8A GeneSiC Semiconductor Gbu8a 0.5685
सराय
 ECAD 4167 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU8 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbu8agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 8 ए 5 µa @ 50 वी 8 ए सिंगल फेज़ 50 वी
FR40JR05 GeneSiC Semiconductor FR40JR05 11.5380
सराय
 ECAD 4062 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr40jr05gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 40 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
MURT20060 GeneSiC Semiconductor MURT20060 104.4930
सराय
 ECAD 5897 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURT20060GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 100 ए 1.7 वी @ 100 ए 160 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR20MR05 GeneSiC Semiconductor FR20MR05 9.5700
सराय
 ECAD 3702 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR20MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 20 ए 500 एनएस 25 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
MURT40060R GeneSiC Semiconductor MURT40060R -
सराय
 ECAD 8384 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURT40060RGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 600 वी 200A 1.7 वी @ 200 ए 240 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BR305 GeneSiC Semiconductor BR305 0.5700
सराय
 ECAD 2931 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-3 तमाम BR-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR305GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 1.5 ए 10 µa @ 50 वी 3 ए सिंगल फेज़ 50 वी
BR36 GeneSiC Semiconductor BR36 0.4750
सराय
 ECAD 1675 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-3 तमाम BR-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR36GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 1.5 ए 10 µA @ 600 V 3 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BR605 GeneSiC Semiconductor BR605 0.7425
सराय
 ECAD 4873 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR605GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 3 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 50 वी
BR64 GeneSiC Semiconductor BR64 0.7425
सराय
 ECAD 5531 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR64GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 400 V 6 ए सिंगल फेज़ 400 वी
DB101G GeneSiC Semiconductor DB101G 0.1980
सराय
 ECAD 7578 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB101 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB101GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1 ए 5 µa @ 50 वी 1 ए सिंगल फेज़ 50 वी
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
सराय
 ECAD 9862 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC3501 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 17.5 ए 5 µA @ 100 वी 35 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
सराय
 ECAD 5349 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC5001 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 वी @ 25 ए 5 µA @ 100 वी 50 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
सराय
 ECAD 2194 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC5006 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 वी @ 25 ए 5 µA @ 600 V 50 ए सिंगल फेज़ 600 वी
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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