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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
सराय
 ECAD 8738 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1186R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor MBR300150CT 94.5030
सराय
 ECAD 1227 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR300150 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 150A 880 mV @ 150 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRA60035RL -
सराय
 ECAD 5596 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 300 ए 600 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR70DR05 GeneSiC Semiconductor FR70DR05 17.7855
सराय
 ECAD 2925 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR70DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 70 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
सराय
 ECAD 6126 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S12D तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12DRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
सराय
 ECAD 2578 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S85BGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
सराय
 ECAD 799 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3879 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1087 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 15 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
सराय
 ECAD 9386 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदाबहार @ ४०० -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
सराय
 ECAD 5079 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT60060 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT60060RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 300 ए 800 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
सराय
 ECAD 1567 0.00000000 अफ़र्याशियस G2R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA G2R120 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G2R120MT33J Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 3300 वी 35 ए 20 वी 156MOHM @ 20A, 20V - 145 सराय @ 20 वी +25v, -10v 3706 पीएफ @ 1000 वी - -
FR6D02 GeneSiC Semiconductor Fr6d02 4.9020
सराय
 ECAD 7727 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6d02gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
S16GR GeneSiC Semiconductor S16GR 4.5900
सराय
 ECAD 7750 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S16G तंग, तमाम - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S16GRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 16 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
सराय
 ECAD 2862 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) अँगुला एसओटी -227-4, कांपस एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) एसओटी -227 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 10 - 1200 वी 160 ए (टीसी) - 10mohm @ 100a - - 14400 पीएफ @ 800 वी - 535W (टीसी)
MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80030RL -
सराय
 ECAD 4676 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 400 ए 580 mV @ 400 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 100 ° C
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT -
सराय
 ECAD 8812 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR500100CTGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 250A 880 mV @ 250 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A150 46.9860
सराय
 ECAD 3110 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X060 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 150 वी 60 ए 880 mV @ 60 ए 3 gay @ 150 वी -40 ° C ~ 150 ° C
DB156G GeneSiC Semiconductor DB156G 0.2325
सराय
 ECAD 1657 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB156 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB156GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 800 V 1.5 ए सिंगल फेज़ 800 वी
1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA -
सराय
 ECAD 2393 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-257-3 1N8026 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-257 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 2.5 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 250 ° C 8 ए 237PF @ 1V, 1MHz
DB151G GeneSiC Semiconductor Db151g 0.2325
सराय
 ECAD 1447 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB151 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB151GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 50 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 50 वी
MBRT40020 GeneSiC Semiconductor MBRT40020 118.4160
सराय
 ECAD 4122 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT40020GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 200A 750 एमवी @ 200 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR6A02 GeneSiC Semiconductor Fr6a02 7.1300
सराय
 ECAD 37 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6a02gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
MURF10010 GeneSiC Semiconductor MURF10010 -
सराय
 ECAD 3603 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Murf10010gn Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 50 ए 1.3 वी @ 50 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N1184 GeneSiC Semiconductor 1N1184 10.1200
सराय
 ECAD 749 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1184 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1013 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR 90.1380
सराय
 ECAD 2533 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR20030 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1023 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200 ए (डीसी) 650 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6030 GeneSiC Semiconductor MBR6030 20.2695
सराय
 ECAD 6336 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6030GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MBR30045CTR GeneSiC Semiconductor MBR30045CTR 94.5030
सराय
 ECAD 5542 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR30045 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR30045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 150A 650 mV @ 150 ए 8 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA30040 GeneSiC Semiconductor MURTA30040 159.9075
सराय
 ECAD 4954 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 150A 1.3 वी @ 150 ए 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA60080A GeneSiC Semiconductor MSRTA60080A 109.2000
सराय
 ECAD 1305 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA60080 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 800 वी 600 ए (डीसी) 1.2 वी @ 600 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR40040CTR GeneSiC Semiconductor Mur40040CTR 132.0780
सराय
 ECAD 1374 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR40040 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR40040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 400 वी 200A 1.3 वी @ 125 ए 150 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA500120 GeneSiC Semiconductor MURTA500120 174.1546
सराय
 ECAD 1351 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 250A 2.6 वी @ 250 ए 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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