SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MBRT120200R GeneSiC Semiconductor MBRT120200R 75.1110
सराय
 ECAD 1846 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT120200 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 60 ए 920 mV @ 60 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
UFT7340M GeneSiC Semiconductor UFT7340M -
सराय
 ECAD 3616 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m तमाम D61-3m - 1 (असीमित) Q11259022 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 70A 1.3 वी @ 35 ए 75 एनएस 20 µA @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N1199A GeneSiC Semiconductor 1N1199A 4.2345
सराय
 ECAD 3670 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N1199 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1029 Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 12 ए -
GBU4K GeneSiC Semiconductor Gbu4k 0.4725
सराय
 ECAD 7611 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU4 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU4KGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 800 V 4 ए सिंगल फेज़ 800 वी
G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D 5.4400
सराय
 ECAD 717 0.00000000 अफ़र्याशियस G2R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 G2R1000 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G2R1000MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1700 वी 5 ए (टीसी) 20 वी 1.2OHM @ 2A, 20V 5.5V @ 500µA 11 सना हुआ @ 20 वी +25v, -10v 111 पीएफ @ 1000 वी - 44W (टीसी)
MBR12020CT GeneSiC Semiconductor MBR12020CT 68.8455
सराय
 ECAD 2134 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR12020 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1069 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 120 ए (डीसी) 650 mV @ 120 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT06-214 -
सराय
 ECAD 4548 0.00000000 अफ़र्याशियस * R टेप ray ryील (ther) शिर GB02SLT06 - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500
MBRTA50060R GeneSiC Semiconductor MBRTA50060R -
सराय
 ECAD 4787 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 250A 750 एमवी @ 250 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor MBRTA80045R -
सराय
 ECAD 6925 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 400 ए 720 mV @ 400 ए 1 पायल @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X030A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A100 45.3800
सराय
 ECAD 8002 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X030 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1298 Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 100 वी 60 ए 840 mV @ 30 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N3294AR GeneSiC Semiconductor 1N3294AR 33.5805
सराय
 ECAD 9504 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3294AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3294ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 100 ए 13 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
MURF40005 GeneSiC Semiconductor Murf40005 -
सराय
 ECAD 6908 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 200A 1 वी @ 200 ए 150 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12020 GeneSiC Semiconductor MBRF12020 -
सराय
 ECAD 2769 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 60 ए 700 एमवी @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
सराय
 ECAD 3999 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 35 वी 600 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 300 ए -
MURF40060 GeneSiC Semiconductor MURF40060 -
सराय
 ECAD 5200 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 200A 1.7 वी @ 200 ए 240 एनएस 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 -
सराय
 ECAD 9649 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247ab तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 वी 20 ए (टीसी) - 70MOHM @ 20A - - - 282W (टीसी)
MBRF40080 GeneSiC Semiconductor MBRF40080 -
सराय
 ECAD 1423 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 200A 840 mV @ 200 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J 6.4200
सराय
 ECAD 733 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GD30MPS06 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GD30MPS06J Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी -55 ° C ~ 175 ° C 51 ए 735pf @ 1V, 1MHz
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
सराय
 ECAD 1247 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT150 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1000 वी 150A 1.2 वी @ 150 ए 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A080 48.6255
सराय
 ECAD 7118 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X080 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 80 वी 80 ए 840 mV @ 80 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -40 ° C ~ 150 ° C
UFT14005 GeneSiC Semiconductor UFT14005 -
सराय
 ECAD 7695 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab तमाम To-249ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 70A 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H 8.1700
सराय
 ECAD 7530 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD10MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 26A 721pf @ 1V, 1MHz
1N3889 GeneSiC Semiconductor 1N3889 9.3000
सराय
 ECAD 65 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3889 तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1048 Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor MBRH20045 75.0900
सराय
 ECAD 5656 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1006 Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
MURT30060 GeneSiC Semiconductor MURT30060 118.4160
सराय
 ECAD 1002 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MURT30060GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 150A 1.7 वी @ 150 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR5040R GeneSiC Semiconductor Mur5040r 17.8380
सराय
 ECAD 1062 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MUR5040 तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mur5040rgn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 50 ए 75 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 50 ए -
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA -
सराय
 ECAD 8687 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) सतह rurcur To-276aa एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-276 - रोहस 1 (असीमित) 1242-1147 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 वी 4 ए (टीसी टीसी) (165 letir डिग ktun) - 415mohm @ 4a - - 324 पीएफ @ 35 वी - 125W (टीसी)
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor MURTA40020R 159.9075
सराय
 ECAD 2875 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray Murta40020 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 200A 1.3 वी @ 200 ए 25 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3890R तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3890RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 12 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 -
सराय
 ECAD 8401 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 GB50MPS17 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1345 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 50 ए 0 एनएस 60 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 216 ए 3193pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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