SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
150K20A GeneSiC Semiconductor 150k20a 35.5695
सराय
 ECAD 1651 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 150k20 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 150K20AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.33 वी @ 150 ए 35 पायल @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
सराय
 ECAD 6782 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH20035 शोट्की, रयरी डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH20035RGN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस G3R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 G3R450 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G3R450MT17D Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1700 वी 9 ए (टीसी) 15V 585MOHM @ 4A, 15V 2.7V @ 2MA 18 स्याह @ 15 वी ± 15V 454 पीएफ @ 1000 वी - 88W (टीसी)
FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M -
सराय
 ECAD 3580 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m तंग 1 (असीमित) FST8320MGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 80 ए (डीसी) 650 mV @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor Fr85jr02 27.9100
सराय
 ECAD 17 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 85 ए 250 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor MBR120100CTR 68.8455
सराय
 ECAD 5300 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR120100 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR120100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 120 ए (डीसी) 840 mV @ 60 ए 3 सना हुआ @ 20 वी
GBU4M GeneSiC Semiconductor Gbu4m 0.4725
सराय
 ECAD 6996 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU4 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU4MGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 1000 V 4 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GKN240/12 GeneSiC Semiconductor GKN240/12 59.0066
सराय
 ECAD 9794 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum GKN240 तमाम DO-205AB (DO-9) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.4 वी @ 60 ए 60 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
1N3882R GeneSiC Semiconductor 1N3882R 5.1225
सराय
 ECAD 1802 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3882R तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3882RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.4 वी @ 6 ए 200 एनएस 15 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
S6G GeneSiC Semiconductor एस 6 जी 3.8625
सराय
 ECAD 8196 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6GGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
FR70GR05 GeneSiC Semiconductor Fr70gr05 17.7855
सराय
 ECAD 8098 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR70GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 70 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0.3750
सराय
 ECAD 3839 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) KBP203GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 वी @ 2 ए 10 µa @ 200 वी 2 ए सिंगल फेज़ 200 वी
KBL604G GeneSiC Semiconductor Kbl604g 0.5805
सराय
 ECAD 9520 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल Kbl604 तमाम Kbl तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbl604ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 6 ए 5 @a @ 400 वी 6 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MBRT600100 GeneSiC Semiconductor MBRT600100 140.2020
सराय
 ECAD 5948 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT600100GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 300 ए 880 mV @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA30060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30060AD 113.5544
सराय
 ECAD 3266 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA300 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 600 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor MSRT20080AD 80.4872
सराय
 ECAD 1220 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT200 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 200A 1.1 वी @ 200 ए 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N2128A GeneSiC Semiconductor 1N2128A 8.9025
सराय
 ECAD 2422 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2128 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N2128AGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 60 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
सराय
 ECAD 5751 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GD25MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी 1.8 वी @ 25 ए 0 एनएस 20 µA @ 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 56 ए 1083pf @ 1V, 1MHz
1N2133A GeneSiC Semiconductor 1N2133A 8.9025
सराय
 ECAD 5410 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2133 तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N2133AGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.1 वी @ 60 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
MUR7020 GeneSiC Semiconductor MUR7020 17.5905
सराय
 ECAD 7661 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1014 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 70 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
FR85BR02 GeneSiC Semiconductor FR85BR02 24.1260
सराय
 ECAD 6816 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR85BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.4 वी @ 85 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
FR30G02 GeneSiC Semiconductor FR30G02 13.4000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1034 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 30 ए 200 एनएस 25 µa @ 50 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
सराय
 ECAD 2288 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH240150 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 240 ए 1 पायल @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20080D 110.1030
सराय
 ECAD 2563 0.00000000 अफ़र्याशियस * थोक शिर MSRT200 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40
GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E 1.5400
सराय
 ECAD 8853 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 2 ए 0 एनएस 5 @ ए @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 73pf @ 1V, 1MHz
MBRF12080 GeneSiC Semiconductor MBRF12080 -
सराय
 ECAD 3656 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 60 ए 840 mV @ 60 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
सराय
 ECAD 6397 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर डी -67 schottky तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1046 Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 120 ए 4 सना हुआ @ 20 वी 120 ए -
GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor Gap3slt33-220fp 9.1050
सराय
 ECAD 4998 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से TO-220-2 GAP3SLT33 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 3300 वी 1.7 वी @ 300 एमए 0 एनएस 5 @ ए @ 3300 वी -55 ° C ~ 175 ° C 300ma 42pf @ 1V, 1MHz
MBRT30035 GeneSiC Semiconductor MBRT30035 111.0800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1005 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 150A 750 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N 56.2000
सराय
 ECAD 9403 0.00000000 अफ़र्याशियस G3R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) अँगुला एसओटी -227-4, कांपस G3R20 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G3R20MT12N Ear99 8541.29.0095 10 n- चैनल 1200 वी 105 ए (टीसी) 15V 24MOHM @ 60A, 15V 2.69V @ 15ma २१ ९ सराय @ १५ वी +20V, -10V 5873 पीएफ @ 800 वी - 365W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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