SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - पthirraurोध @ yur, एफ
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
सराय
 ECAD 9219 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 300 ए 580 mV @ 300 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA40045RL GeneSiC Semiconductor Mbrta40045rl -
सराय
 ECAD 1884 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24040R GeneSiC Semiconductor MBRH24040R 76.4925
सराय
 ECAD 5260 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH24040 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 720 एमवी @ 240 ए 1 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MBRF120200 GeneSiC Semiconductor MBRF120200 -
सराय
 ECAD 1073 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 60 ए 920 mV @ 60 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20030 GeneSiC Semiconductor MBRH20030 70.0545
सराय
 ECAD 3881 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRH20030GN Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 650 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी 200A -
S320K GeneSiC Semiconductor S320K 63.8625
सराय
 ECAD 8900 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum S320 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S320KGN Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 300 ए 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
GKR240/04 GeneSiC Semiconductor GKR240/04 59.1425
सराय
 ECAD 8443 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum GKR240 तमाम DO-205AB (DO-9) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 60 ए 60 सना हुआ @ 400 वी -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
FR12GR02 GeneSiC Semiconductor FR12GR02 9.2235
सराय
 ECAD 3268 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12GR02GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 800 mV @ 12 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
MBRT30080R GeneSiC Semiconductor MBRT30080R -
सराय
 ECAD 7658 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT30080RGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 150A 880 mV @ 150 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTRL -
सराय
 ECAD 7710 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200A 580 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
सराय
 ECAD 7968 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt GKR71 तमाम Do-5 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.5 वी @ 60 ए 10 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
S40QR GeneSiC Semiconductor S40QR 6.3770
सराय
 ECAD 8537 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S40Q तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40QRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA -
सराय
 ECAD 2645 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) सतह rurcur To-276aa एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-276 तंग रोहस 1 (असीमित) 1242-1149 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 वी 8 ए (टीसी टीसी) (158 डिगthirी सेलtun) - 170mohm @ 8a - - 720 पीएफ @ 35 वी - 200w (टीसी)
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0.9795
सराय
 ECAD 1534 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ25 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ25B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) AXIAL GA01PNS150 - तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 ए 7PF @ 1000V, 1MHz पिन - एकल 15000V -
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
सराय
 ECAD 4017 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ30 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ30M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 15 ए 5 µA @ 1000 V 30 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
KBPM210G GeneSiC Semiconductor Kbpm210g -
सराय
 ECAD 2438 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम तमाम KBPM तंग 1 (असीमित) तमाम Kbpm210ggn Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 5 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E 2.0500
सराय
 ECAD 6948 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GE06MPS06 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी -55 ° C ~ 175 ° C 17 ए 279pf @ 1V, 1MHz
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
सराय
 ECAD 3661 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA GB05MPS17 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GB05MPS17-263 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1700 वी -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 470pf @ 1V, 1MHz
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
सराय
 ECAD 7436 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirchur, WOM तमाम कांपना तंग 1 (असीमित) 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 10 µa @ 800 V 2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1N1188AR 6.3770
सराय
 ECAD 1366 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1188AR तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N1188ARGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 40 ए -
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
सराय
 ECAD 9111 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt S12Q तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S12QRGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 12 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 12 ए -
1N3289AR GeneSiC Semiconductor 1N3289AR 33.5805
सराय
 ECAD 1862 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3289AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3289ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.5 वी @ 100 ए 24 सना हुआ @ 200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
BR82 GeneSiC Semiconductor BR82 0.8910
सराय
 ECAD 6917 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-8 तमाम बी rur -8 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR82GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 4 ए 10 µa @ 200 वी 8 ए सिंगल फेज़ 200 वी
G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K 17.6700
सराय
 ECAD 4250 0.00000000 अफ़र्याशियस G3R ™ नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 G3R40 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G3R40MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 71 ए (टीसी) 15V 48MOHM @ 35A, 15V 2.69V @ 10MA 106 सना ± 15V 2929 पीएफ @ 800 वी - 333W (टीसी)
MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor MSRTA300160D 159.9075
सराय
 ECAD 7548 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA300160D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1600 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µA @ 1600 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR70J05 GeneSiC Semiconductor FR70J05 17.5905
सराय
 ECAD 3949 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR70J05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 70 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
सराय
 ECAD 6424 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 50 ए 920 mV @ 50 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3296AR GeneSiC Semiconductor 1N3296AR 33.5805
सराय
 ECAD 1140 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3296AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3296ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.5 वी @ 100 ए 9 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
MURT40010R GeneSiC Semiconductor MURT40010R 132.0780
सराय
 ECAD 2813 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURT40010 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Mut40010rgn Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 200A 1.3 वी @ 200 ए 125 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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