SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
KBP208 GeneSiC Semiconductor KBP208 0.3750
सराय
ECAD 3094 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbp208gn Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 वी @ 2 ए 10 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
KBPC1508T GeneSiC Semiconductor KBPC1508T 2.1795
सराय
ECAD 9681 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-yrigh, kbpc-t KBPC1508 तमाम KBPC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 7.5 ए 5 µA @ 800 V 15 ए सिंगल फेज़ 800 वी
KBPM202G GeneSiC Semiconductor KBPM202G -
सराय
ECAD 7183 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम तमाम KBPM तंग 1 (असीमित) तमाम Kbpm202ggn Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 5 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 200 वी
KBPM206G GeneSiC Semiconductor KBPM206G -
सराय
ECAD 3874 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम तमाम KBPM तंग 1 (असीमित) तमाम Kbpm206ggn Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 5 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 600 वी
KBU1002 GeneSiC Semiconductor KBU1002 0.8205
सराय
ECAD 3939 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu1002gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 वी @ 10 ए 10 µa @ 200 वी 10 ए सिंगल फेज़ 200 वी
M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor M3P100A-160 -
सराय
ECAD 6564 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur ५-मॉड तमाम 5-एसएमडी - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 वी @ 100 ए 10 सना हुआ @ 1600 वी 100 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
W005M GeneSiC Semiconductor W005M -
सराय
ECAD 7362 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirchur, WOM तमाम कांपना तंग 1 (असीमित) W005MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1 वी @ 1 ए 10 µa @ 50 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 50 वी
FR40JR02 GeneSiC Semiconductor FR40JR02 13.8360
सराय
ECAD 4966 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr40jr02gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 40 ए 250 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
सराय
ECAD 4711 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल तमाम जीबीएल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbl04gn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 @a @ 400 वी 4 ए सिंगल फेज़ 400 वी
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
सराय
ECAD 1134 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC1501 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 7.5 ए 5 µA @ 100 वी 15 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MBR3580R GeneSiC Semiconductor MBR3580R 15.1785
सराय
ECAD 8931 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt MBR3580 शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR3580RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 840 mV @ 35 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
MBRT500200R GeneSiC Semiconductor MBRT500200R -
सराय
ECAD 1499 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 250A 920 mV @ 250 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7535R GeneSiC Semiconductor MBR7535R 21.9195
सराय
ECAD 1581 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt MBR7535 शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR7535RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 750 एमवी @ 75 ए 1 पायल @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C 75 ए -
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
सराय
ECAD 8701 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR40060 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 200A 800 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
सराय
ECAD 5850 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 GC10MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50 ए 660pf @ 1V, 1MHz
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
सराय
ECAD 4613 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR200200 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 100 ए 920 mV @ 100 ए 3 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
सराय
ECAD 5744 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N5833R शोट्की, रयरी Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N5833RGN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 40 ए २० सना हुआ @ १० -65 ° C ~ 150 ° C 40 ए -
MBR60045CTR GeneSiC Semiconductor MBR60045CTR 129.3585
सराय
ECAD 7205 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR60045 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR60045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 300 ए 750 एमवी @ 300 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
सराय
ECAD 4998 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर schottky सोर - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 20 वी 150A 580 mV @ 150 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor Mur10060CTR -
सराय
ECAD 3340 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR10060CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 600 वी 50 ए 1.7 वी @ 50 ए 110 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1N3213R GeneSiC Semiconductor 1N3213R 7.0650
सराय
ECAD 3434 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3213R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3213RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.5 वी @ 15 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
सराय
ECAD 3919 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40VGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 160 ° C 40 ए -
GBJ35K GeneSiC Semiconductor GBJ35K 1.6410
सराय
ECAD 4294 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35K Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µa @ 800 V 35 ए सिंगल फेज़ 800 वी
MSRTA600120A GeneSiC Semiconductor MSRTA600120A 109.2000
सराय
ECAD 9506 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला ३-मॉड MSRTA600120 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 600 ए (डीसी) 1.2 वी @ 600 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60040R GeneSiC Semiconductor MBRF60040R -
सराय
ECAD 8038 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
FR40KR05 GeneSiC Semiconductor FR40KR05 17.1300
सराय
ECAD 78 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 40 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000
सराय
ECAD 3 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB GB02SLT12 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीओ -214 एए तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 1 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 131pf @ 1V, 1MHz
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor Ge2x8mps06d 5.1900
सराय
ECAD 58 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Ge2x8 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-GE2X8MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 19 ए (डीसी) -55 ° C ~ 175 ° C
S85KR GeneSiC Semiconductor S85KR 11.8980
सराय
ECAD 9142 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S85K तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S85KRGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor MURTA400120R 174.1546
सराय
ECAD 9467 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MURTA400120 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 1200 वी 200A 2.6 वी @ 200 ए 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम