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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id वीजीएस (अधिकतम) फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor MSRTA30080D 159.9075
सराय
 ECAD 4263 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA30080D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150KR80A 35.5695
सराय
 ECAD 5582 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 150KR80AGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.33 वी @ 150 ए 32 सना -40 ° C ~ 200 ° C 150A -
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
सराय
 ECAD 2011 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT12080 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT12080RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 60 ए 880 mV @ 60 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
सराय
 ECAD 597 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt S85V तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.1 वी @ 85 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 85 ए -
MBR6020 GeneSiC Semiconductor MBR6020 20.2695
सराय
 ECAD 4290 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR6020GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 650 एमवी @ 60 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 60 ए -
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
सराय
 ECAD 8568 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT10080D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR6DR05 GeneSiC Semiconductor FR6DR05 8.5020
सराय
 ECAD 7468 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr6dr05gn Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 6 ए 500 एनएस 25 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
सराय
 ECAD 8832 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT20045 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBRT20045RGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 100 ए 750 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S40K GeneSiC Semiconductor S40K 6.3770
सराय
 ECAD 5267 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S40KGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 40 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
1N3295AR GeneSiC Semiconductor 1N3295AR 33.5805
सराय
 ECAD 5665 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3295AR तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N3295ARGN Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.5 वी @ 100 ए 11 सना हुआ @ 1000 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
GBJ20G GeneSiC Semiconductor GBJ20G 0.9120
सराय
 ECAD 9792 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ20 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ20G Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 10 ए 5 @a @ 400 वी 20 ए सिंगल फेज़ 400 वी
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
सराय
 ECAD 4570 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला कांपना MSRTA300 तमाम - तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRTA300120D Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 300 ए 1.1 वी @ 300 ए 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ25J GeneSiC Semiconductor GBJ25J 0.9795
सराय
 ECAD 1665 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ25 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ25J Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
GBJ6K GeneSiC Semiconductor Gbj6k 0.6645
सराय
 ECAD 1160 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ6 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ6K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 3 ए 5 µA @ 800 V 6 ए सिंगल फेज़ 800 वी
GBJ10M GeneSiC Semiconductor GBJ10M 0.7470
सराय
 ECAD 2675 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ10 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ10M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 5 ए 5 µA @ 1000 V 10 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
GBJ30B GeneSiC Semiconductor GBJ30B 1.1205
सराय
 ECAD 8713 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ30 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ30B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 वी @ 15 ए 5 µA @ 100 वी 30 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBJ15B GeneSiC Semiconductor GBJ15B 0.7875
सराय
 ECAD 1800 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ15 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ15B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 ए 10 µA @ 100 वी 15 ए सिंगल फेज़ 100 वी
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
सराय
 ECAD 8872 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल तमाम जीबीएल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Gbl01gn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 100 वी 4 ए सिंगल फेज़ 100 वी
BR32 GeneSiC Semiconductor BR32 0.5700
सराय
 ECAD 8222 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-3 तमाम BR-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) BR32GN Ear99 8541.10.0080 200 1 वी @ 1.5 ए 10 µa @ 200 वी 3 ए सिंगल फेज़ 200 वी
GKR130/08 GeneSiC Semiconductor GKR130/08 35.2590
सराय
 ECAD 5808 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 60 ए 22 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0.5805
सराय
 ECAD 8316 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल Kbl602 तमाम Kbl तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbl602ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 6 ए 5 µA @ 100 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
KBU6J GeneSiC Semiconductor Kbu6j 0.7035
सराय
 ECAD 1631 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU Kbu6 तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu6jgn Ear99 8541.10.0080 400 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
KBU6B GeneSiC Semiconductor Kbu6b 1.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU Kbu6 तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 400 1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
सराय
 ECAD 5375 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से ४-yri, केबीपीसी-डब KBPC5008 तमाम केबीपीसी-डब तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 25 ए 5 µA @ 800 V 50 ए सिंगल फेज़ 800 वी
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 अफ़र्याशियस G3R ™ नली शिर - होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-G3R60MT07K Ear99 8541.29.0095 30 - 750 वी - - - - +20V, -10V - -
MURH10040 GeneSiC Semiconductor MUH10040 49.5120
सराय
 ECAD 1384 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 तमाम डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Muh10040gn Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 100 ए 90 एनएस 25 µa @ 50 वी 100 ए -
GBJ35G GeneSiC Semiconductor GBJ35G 1.6410
सराय
 ECAD 5702 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे GBJ35 तमाम जीबीजे तंग Rohs3 आजthabaira 1242-GBJ35G Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 10 µA @ 400 V 35 ए सिंगल फेज़ 400 वी
KBU8B GeneSiC Semiconductor Kbu8b 0.7425
सराय
 ECAD 7012 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBU Kbu8 तमाम KBU तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Kbu8bgn Ear99 8541.10.0080 400 1 वी @ 8 ए 10 µA @ 100 वी 8 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt schottky डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR3545GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 680 mV @ 35 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
सराय
 ECAD 3689 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 200A 600 एमवी @ 200 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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