SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130/18 35.8210
सराय
 ECAD 2516 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1800 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदा -55 ° C ~ 150 ° C 165 ए -
MBRF30030 GeneSiC Semiconductor MBRF30030 -
सराय
 ECAD 9124 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3003 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 150A 700 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20035R GeneSiC Semiconductor MBRT20035R 98.8155
सराय
 ECAD 6920 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MBRT20035 schottky तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1102 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 35 वी 100 ए 750 mV @ 100 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20080CTR GeneSiC Semiconductor MBR20080CTR 90.1380
सराय
 ECAD 2712 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR20080 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR20080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 200 ए (डीसी) 840 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी
FR85K05 GeneSiC Semiconductor Fr85k05 23.1210
सराय
 ECAD 5638 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Fr85k05gn Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 85 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
1N1189R GeneSiC Semiconductor 1N1189R 7.4730
सराय
 ECAD 7084 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1189R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N1189RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
1N2135AR GeneSiC Semiconductor 1N2135AR 8.9025
सराय
 ECAD 2479 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N2135AR तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N2135ARGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 60 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 60 ए -
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
सराय
 ECAD 5673 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263-7 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1242-GC05MPS33J Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 3300 वी 0 एनएस 175 ° C 5 ए -
FR12MR05 GeneSiC Semiconductor FR12MR05 7.0500
सराय
 ECAD 1218 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तंग, तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12MR05GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.4 वी @ 12 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
1N1187R GeneSiC Semiconductor 1N1187R 7.4730
सराय
 ECAD 9766 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N1187R तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N1187RGN Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.2 वी @ 35 ए 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor MUR20020CTR 101.6625
सराय
 ECAD 6212 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MUR20020 तमाम सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MUR20020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 100 ए 1.3 वी @ 100 ए 75 एनएस 25 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60045R GeneSiC Semiconductor MBRTA60045R -
सराय
 ECAD 2356 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 45 वी 300 ए 700 mV @ 300 ए 1 पायल @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM -
सराय
 ECAD 4744 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3SM schottky D61-3SM तंग 1 (असीमित) तमाम FST8330SMGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 80 ए (डीसी) 650 mV @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
सराय
 ECAD 6045 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR16G02GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 900 mV @ 16 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
S6D GeneSiC Semiconductor एस 6 डी 3.8625
सराय
 ECAD 4075 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) S6DGN Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
GKN71/08 GeneSiC Semiconductor GKN71/08 12.3735
सराय
 ECAD 6788 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt GKN71 तमाम Do-5 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.5 वी @ 60 ए 10 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 180 ° C 95A -
FST16045 GeneSiC Semiconductor FST16045 75.1110
सराय
 ECAD 4881 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FST16045GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 160 ए (डीसी) 750 mV @ 160 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GKN240/16 GeneSiC Semiconductor GKN240/16 73.3638
सराय
 ECAD 9498 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-205ab, do-9, s सmum GKN240 तमाम DO-205AB (DO-9) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.4 वी @ 60 ए 60 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBRH15035RL GeneSiC Semiconductor MBRH15035RL -
सराय
 ECAD 5227 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 शोट्की, रयरी डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 600 एमवी @ 150 ए 3 सना हुआ @ 35 वी 150A -
GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 4.1910
सराय
 ECAD 1450 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GC10MPS12 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1331 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 54 ए 660pf @ 1V, 1MHz
MBR3540R GeneSiC Semiconductor MBR3540R 15.1785
सराय
 ECAD 2152 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt MBR3540 शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR3540RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 680 mV @ 35 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 35 ए -
MSRT100140D GeneSiC Semiconductor MSRT100140D 87.1935
सराय
 ECAD 9947 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT100 तमाम तीन ray तंग Rohs3 आजthabaira 1242-MSRT100140D Ear99 8541.10.0080 40 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1400 वी 100 ए 1.1 वी @ 100 ए 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR26/12 GeneSiC Semiconductor GKR26/12 -
सराय
 ECAD 3728 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.55 वी @ 60 ए 4 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 180 ° C 25 ए -
GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 80.0700
सराय
 ECAD 346 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस GB2X50 Sic (सिलिकॉन antairchama) एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1339 Ear99 8541.10.0080 10 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) २ सभ्य 1200 वी 93 ए (डीसी) 1.8 वी @ 50 ए 0 एनएस 40 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
सराय
 ECAD 8861 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 G3R12M Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-G3R12MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 157 ए (टीसी) 15V, 18V 13MOHM @ 100A, 18V 2.7V @ 50ma 288 स्याल @ 15 वी +22v, -10v 9335 पीएफ @ 800 वी - 567W (टीसी)
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
सराय
 ECAD 8323 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBRH30045L GeneSiC Semiconductor MBRH30045L -
सराय
 ECAD 8866 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 schottky डी -67 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 mV @ 300 ए 5 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C 300 ए -
MBR2X160A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A180 59.6700
सराय
 ECAD 7942 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X160 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 180 वी 160A 920 mV @ 160 ए 3 सना हुआ @ 180 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GBPC3506T GeneSiC Semiconductor GBPC3506T 2.8650
सराय
 ECAD 1002 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सोरक 4-rirch, gbpc GBPC3506 तमाम जीबीपीसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 17.5 ए 5 µA @ 600 V 35 ए सिंगल फेज़ 600 वी
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L -
सराय
 ECAD 9193 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200A 580 एमवी @ 200 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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