SIC
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अफ़र्याशय, 2160 (2160)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार शराबी तमाम तकनीकी शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) कसना कांपना अफ़म सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id वीजीएस (अधिकतम) फेट ray शकmuth अपव वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र तमाम वोलmuth -
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
सराय
 ECAD 9058 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT250120 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 250 ए (डीसी) 1.2 वी @ 250 ए 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
सराय
 ECAD 9924 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247ab तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 वी 10 ए (टीसी) - 140mohm @ 10a - - - 170W (टीसी)
FR12G02 GeneSiC Semiconductor FR12G02 8.2245
सराय
 ECAD 3943 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt तमाम डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR12G02GN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 800 mV @ 12 ए 200 एनएस 25 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
सराय
 ECAD 2380 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N6096R शोट्की, रयरी डीओ -4 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1N6096RGN Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 580 mV @ 25 ए 2 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227 -
सराय
 ECAD 7156 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस - तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 10 - 50 ए 1.2 केवी -
GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 8.6460
सराय
 ECAD 3246 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 GC2X10 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1330 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 50 ए (डीसी) 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRTA600100R GeneSiC Semiconductor MBRTA600100R -
सराय
 ECAD 8558 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 300 ए 840 mV @ 300 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT200160A GeneSiC Semiconductor MSRT200160A 48.2040
सराय
 ECAD 3129 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRT200 तमाम तीन ray - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1600 वी 200 ए (डीसी) 1.2 वी @ 200 ए 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
FR85KR05 GeneSiC Semiconductor FR85KR05 24.1260
सराय
 ECAD 9264 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt तंग, तमाम Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FR85KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 85 ए 500 एनएस 25 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
MBR40040CT GeneSiC Semiconductor MBR40040CT 98.8155
सराय
 ECAD 1091 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR40040 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1037 Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 200A 650 mV @ 100 ए 5 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
सराय
 ECAD 4354 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला D61-3m schottky D61-3m तंग 1 (असीमित) FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 80 ए (डीसी) 750 एमवी @ 80 ए 1.5 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF600100R GeneSiC Semiconductor MBRF600100R -
सराय
 ECAD 3566 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 250A 840 mV @ 250 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA600200R GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R -
सराय
 ECAD 7016 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 200 वी 300 ए 920 mV @ 300 ए 4 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor MBR600150CT 129.3585
सराय
 ECAD 4175 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला सोर MBR600150 schottky सोर तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 300 ए 880 mV @ 300 ए 3 gay @ 150 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247 -
सराय
 ECAD 7683 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 - तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 - 10 ए 1.2 केवी -
M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor M3P75A-120 -
सराय
 ECAD 5618 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला ५-मॉड तमाम 5-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 1.15 वी @ 75 ए 10 µA @ 1200 V 75 ए तीन फ़ेज़ 1.2 केवी
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
सराय
 ECAD 3909 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-249ab schottky To-249ab तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) FST100100GN Ear99 8541.10.0080 40 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 100 ए 840 mV @ 100 ए 2 पायल @ 20 वी
MURTA30060 GeneSiC Semiconductor MURTA30060 159.9075
सराय
 ECAD 5731 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 24 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 150A 1.7 वी @ 150 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A060 43.6545
सराय
 ECAD 5087 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस MBR2X050 schottky एसओटी -227 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 52 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 60 वी 50 ए 750 एमवी @ 50 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-227SP 1.0000
सराय
 ECAD 6507 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला कांपना GA040 कसना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 10 780 अराध्य 6.5 केवी 69 ए - ३० सना हुआ 40 ए 1 सीन
GB10SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-247D -
सराय
 ECAD 6041 0.00000000 अफ़र्याशियस - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 1242-1315 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 12 ए 1.9 वी @ 5 ए 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
KBPM201G GeneSiC Semiconductor Kbpm201g -
सराय
 ECAD 4986 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम तमाम KBPM तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 2 ए 5 µa @ 50 वी 2 ए सिंगल फेज़ 100 वी
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
सराय
 ECAD 6189 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 300 ए (डीसी) 650 mV @ 300 ए 10 सना हुआ @ 20 वी -40 ° C ~ 175 ° C
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
सराय
 ECAD 9258 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt schottky Do-5 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) MBR8020GN Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 750 एमवी @ 80 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
MBRTA60030 GeneSiC Semiconductor MBRTA60030 -
सराय
 ECAD 6638 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray schottky तीन ray - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 18 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 300 ए 700 mV @ 300 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GKR130/16 GeneSiC Semiconductor GKR130/16 35.6397
सराय
 ECAD 4222 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE GKR130 तमाम DO-205AA (DO-8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.5 वी @ 60 ए २२ सदाबहार @ १६०० -40 ° C ~ 180 ° C 165 ए -
MBRF30060R GeneSiC Semiconductor MBRF30060R -
सराय
 ECAD 2029 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला To-244ab MBRF3006 schottky To-244ab - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 60 वी 150A 750 एमवी @ 150 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH200150R GeneSiC Semiconductor MBRH200150R 70.0545
सराय
 ECAD 4771 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला डी -67 MBRH200150 शोट्की, रयरी डी -67 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 36 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 एमवी @ 200 ए 1 सना हुआ @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200A -
MSRTA400160A GeneSiC Semiconductor MSRTA400160A 60.2552
सराय
 ECAD 8098 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर अँगुला तीन ray MSRTA400160 तमाम तीन ray तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1600 वी 400 ए (डीसी) 1.2 वी @ 400 ए 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
सराय
 ECAD 130 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर होल के kaytaumauth से से -206ab, से 46-3 ranaute r क सकते हैं हैं हैं GB02SHT01 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -46 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1242-1254 Ear99 8541.10.0080 200 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 100 वी 1.6 वी @ 1 ए 0 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 210 ° C 4 ए 76pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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