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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4609 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F, LXHF 0.4900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 150MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 270 पीएफ @ 10 वी - 600MW (TA)
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C, S1F 48.8100
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 100 ए (टीसी) 18V 22mohm @ 50a, 18v 5V @ 11.7ma 128 ranah @ 18 वी +25v, -10v 4850 पीएफ @ 400 वी - 342W (टीसी)
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
सराय
 ECAD 7473 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड JDV2S09 फंसी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1V, 1MHz कसना 10 वी 2.1 सी 1/सी 4 -
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU, LF 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6N55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1 तंग 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 4 ए 46MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15v सराय -स
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV (TPL3) -
सराय
 ECAD 8872 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 180ma (TA) 1.2V, 4V 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 9.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1, S1X 1.9900
सराय
 ECAD 3520 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK40E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3000 पीएफ @ 50 वी - 126W (टीसी)
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 (TE16L1, NQ) -
सराय
 ECAD 4731 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC6000 २ डब पीडब-k-मोल - 264-2SC6000 (TE16L1NQ) TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 वी 7 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 180mv @ 83ma, 2.5a 250 @ 2.5a, 2V -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ27 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 19 वी 27 वी 30 ओम
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
सराय
 ECAD 395 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 264-TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 ° C 8 ए 520pf @ 1V, 1MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E, LM 0.1800
सराय
 ECAD 4840 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC124 ३२० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 49 @ 5MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9193 0.00000000 तमाम U-mosv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J307 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 5 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 31MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA 19 सना ± 8V 1170 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2682 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 2.5V 136MOHM @ 1A, 2.5V 1V @ 1MA 10.6 सना ± 8V 568 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU, LF 0.4500
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3H137 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 34 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 240MOHM @ 1A, 10V 1.7V @ 1MA 3 सता @ 10 वी ± 20 वी 119 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 (TOJS, Q, M) -
सराय
 ECAD 5031 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5459 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 400 वी 3 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 150ma, 1.2a 20 @ 300mA, 5V -
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706, LF 0.3000
सराय
 ECAD 939 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1706 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709, LF 0.3100
सराय
 ECAD 8528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2709 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2704 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LF 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3J140 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.4 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 25.8MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 ranak @ 4.5 वी +6v, -8v 1800 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W, S4X 3.8400
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK17A80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 17 ए (टीए) 10V 290mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 850µA 32 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2050 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 270MW (TA)
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3E08QM, S1X 1.5800
सराय
 ECAD 98 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 5.3mohm @ 50a, 10v 3.5V @ 700µA ५५ सना ± 20 वी 3980 पीएफ @ 40 वी - 150W (टीसी)
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K405 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4V 126MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA ३.४ सदा ± 10V 195 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D (STA4, Q, M) 1.5700
सराय
 ECAD 3980 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 5 ए (टीए) 10V 1.43OHM @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1MA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 700 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (TE85L, F) 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2117 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय 10 कांपो ४.7
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C, S1Q -
सराय
 ECAD 8191 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 TRS10E65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 500ma (TA) 145MOHM @ 500MA, 4.5V, 260MOHM @ 250MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (सीटी) 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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