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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5, S1F 4.3100
सराय
 ECAD 4776 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK14N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 300MOHM @ 6.9A, 10V 4.5V @ 690µA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, क्यू (जे (जे) -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q 3.6600
सराय
 ECAD 139 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS8A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 28PF @ 650V, 1MHz
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1703 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
सराय
 ECAD 4270 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2422 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 65 @ 100ma, 1v २०० सराय २.२ किलो २.२ किलो
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L39 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma 143MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O (Q) -
सराय
 ECAD 3255 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC3074 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400MV @ 150ma, 3 ए 70 @ 1 ए, 1 वी 120MHz
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC, L1XHQ 1.4700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN3R804 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 सना ± 20 वी 2230 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 100W (TC)
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5, RVQ 1.3300
सराय
 ECAD 1789 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 600 वी 4.5 ए (टीए () 10V 990MOHM @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 vapak ± 30V 370 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 (CHANTH) -
सराय
 ECAD 8209 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK70 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220 (w) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 60 वी 70 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.4MOHM @ 35A, 10V 2.3V @ 1MA 87 सना ± 20 वी 5450 पीएफ @ 10 वी - 45W (टीसी)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
सराय
 ECAD 219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2505 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL, S4X 1.0900
सराय
 ECAD 328 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 36 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 36W (टीसी)
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (सीटी ((() 0.3600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y, RQ 1.3300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK560P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T (TE85L) -
सराय
 ECAD 3763 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 4-फ, फmun लीड लीड HN2S03 schottky TESQ - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 20 वी 50mA 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LF 0.3000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 1676 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4904 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 6275 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 4 ए (टीए) 10V 1.7OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2309 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
2SC2712-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
सराय
 ECAD 5355 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4793, nseikif (j) -
सराय
 ECAD 8903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5db @ 100mHz
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 (TE85L, F) 0.3700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS307 तमाम एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1.3 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 30 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 0v, 1MHz
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE, LM 0.3300
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.1ohm @ 500mA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25v सराय -स
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CBS05F30 schottky Cst2b - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 118pf @ 0v, 1MHz
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X, S1F 11.2600
सराय
 ECAD 108 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK62N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 61.8 ए (टीए टीए) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 सना ± 30V 6500 पीएफ @ 300 वी - 400W (टीसी)
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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