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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A, LF 0.4000
सराय
 ECAD 78 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 १५० तंग To-236 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30MHz
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 500ma (TA) 145MOHM @ 500MA, 4.5V, 260MOHM @ 250MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6337 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Rn49a1 200MW US6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2OMI, FM -
सराय
 ECAD 3230 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1429 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2787 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1971 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1, LQ 1.6600
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.24MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 74 सना ± 20 वी 7200 पीएफ @ 20 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 4142 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8A01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 21 ए (टीए) 4.5V, 10V 9.9MOHM @ 10.5a, 10v 2.3V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1900 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
सराय
 ECAD 2719 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 280mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS12N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 264-TRS12N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 6 ए (डीसी) 1.6 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 4033 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G, LF 0.5100
सराय
 ECAD 850 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6K781 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-WCSPC (1.5x1.0) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 12 वी 7 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 18MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250µA ५.४ सदा ± 8V 600 पीएफ @ 6 वी - 1.6W (TA)
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
सराय
 ECAD 5444 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 300 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 2MA, 20mA 30 @ 20MA, 10V 50MHz
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L, LXGQ 2.3200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK60F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) - 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 4320 पीएफ @ 10 वी - 205W (टीसी)
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L, LXHQ 1.6500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 60 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 11.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA १५६ सना +10V, -20V 7760 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 (TE85L, F) 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1310 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2103 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE (TE85L, F) 0.0639
सराय
 ECAD 7284 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1908 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A (TE12L, QM 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMS30 schottky एम-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए 62pf @ 10v, 1MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN1610 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y, LXHF 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 (TE85L, एफ 0.4300
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 1SS308 तमाम एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ४ सदा 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5, S5X 6.3000
सराय
 ECAD 7564 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK35A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 35 ए (टीए) 10V 95MOHM @ 17.5A, 10V 4.5V @ 2.1MA 115 सना ± 30V 4100 पीएफ @ 300 वी - 50w (टीसी)
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O (Q) 3.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 2SA1987 180 डब से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904, LXHF (सीटी) 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 19.5MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 4.8 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 620 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 7888 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 1 कांप 10 कांपो
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, F 0.6800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 16.9db 4V 50mA एनपीएन 200 @ 10MA, 3V 26.5GHz 0.55db @ 2GHz
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