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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LF 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2309 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 २२ सिपाही
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
सराय
 ECAD 4687 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 TK12E80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 11.5 ए (टीए) 10V 450MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 570µA 23 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L, LXHQ 1.0800
सराय
 ECAD 9632 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ40S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 40 ए (टीए) 6v, 10v 9.1MOHM @ 20A, 10V 3V @ 1MA 83 सना +10V, -20V 4140 पीएफ @ 10 वी - 68W (टीसी)
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D (STA4, Q, M) 1.6100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 3 ए (टीए) 10V 2.25OHM @ 1.5A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2947 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K824 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-tsop-f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 33MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1MA ३.६ सदा ± 8V 410 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5864 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड SSM5H12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफवी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 1.9 ए (टीए) 1.8V, 4V 133MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA 1.9 सभा @ 4 वी ± 12V 123 पीएफ @ 15 वी अणु (पृथक) 500MW (TA)
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W, S1F 3.8600
सराय
 ECAD 7047 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK17N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 17.3 ए (टीए () 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900µA 45 सना ± 30V 1800 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 1370 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8221 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 30V 6 ए 25MOHM @ 3A, 10V 2.3V @ 100 @a 12nc @ 10v 830pf @ 10v -
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3334 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1B04 300MW SM6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 70 @ 100ma, 1v 200MHz
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB, L1XHQ 1.9800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPW6R30 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 45 ए (टीए) 6v, 10v 6.3mohm @ 22.5a, 10v 3.5V @ 500µA ५२ सना ± 20 वी 3240 पीएफ @ 10 वी - 960MW (TA), 132W (TC)
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2787 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1971 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0.3000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN1705 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2OMI, FM -
सराय
 ECAD 3230 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SA1429 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT (TPL3) 0.0571
सराय
 ECAD 2573 0.00000000 तमाम π-mosvi R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K16 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 100ma (TA) 1.5V, 4V 3OHM @ 10MA, 4V 1.1V @ 100 @a ± 10V 9.3 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4313 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4902 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS12N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 264-TRS12N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 6 ए (डीसी) 1.6 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 4033 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ47 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µA @ 37.6 V 47 वी 65 ओम
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
सराय
 ECAD 2719 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 280mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G, LF 0.5100
सराय
 ECAD 850 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP SSM6K781 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-WCSPC (1.5x1.0) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 12 वी 7 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 18MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250µA ५.४ सदा ± 8V 600 पीएफ @ 6 वी - 1.6W (TA)
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
सराय
 ECAD 5444 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 300 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 2MA, 20mA 30 @ 20MA, 10V 50MHz
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0.4300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVI R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3.2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 93MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA 4.7 vapak @ 4.5 वी +6v, -8v 290 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK09999V65Z, LQ 5.5600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK099V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 99MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 7148 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (S1, f 2.9200
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 150 से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS13 (TE85L, Q, M) 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS13 schottky एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 40pf @ 10v, 1MHz
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU, LF 0.4000
सराय
 ECAD 310 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 तमाम US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 3418 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TPW4R50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 92 ए (टीसी) 10V 4.5MOHM @ 46A, 10V 4V @ 1MA 58 सना ± 20 वी 5200 पीएफ @ 50 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
सराय
 ECAD 395 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.35 वी @ 8 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 ° C 8 ए 520pf @ 1V, 1MHz
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B, S4X (s -
सराय
 ECAD 3496 0.00000000 तमाम * नली शिर TTD1415 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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