SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) तंग तमाम Q @ vr, f
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC, L1XHQ 1.4700
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN3R804 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 सना ± 20 वी 2230 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 100W (TC)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL, S4X 1.0900
सराय
ECAD 328 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 36 ए (टीसी) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 300µA 33 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 50 वी - 36W (टीसी)
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही 47
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X, S1F 12.4300
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 TK31Z60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L (t) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 30.8 ए (टीए () 10V 88MOHM @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5MA 65 सना ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0.1485
सराय
ECAD 6796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 HN1C03 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 300ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 100MV @ 3MA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0.3533
सराय
ECAD 4019 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN14006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 13 ए (टीए) 6.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 200 @ 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1300 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 (TE85L, F, M) -
सराय
ECAD 5714 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6012 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 6 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 20MOHM @ 3A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 9 सराय @ 5 वी ± 12V 630 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
सराय
ECAD 210 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK42A12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 42 ए (टीसी) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA ५२ सना ± 20 वी 3100 पीएफ @ 60 वी - 35W (टीसी)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
सराय
ECAD 9668 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) - 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 1.34MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 सना ± 20 वी 8100 पीएफ @ 30 वी - 960MW (TA), 210W (TC)
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F, LF 0.4100
सराय
ECAD 17 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J325 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 150MOHM @ 1A, 4.5V - ४.६ सदा ± 8V 270 पीएफ @ 10 वी - 600MW (TA)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323, H3F 0.3800
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SV323 ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 7.1pf @ 4v, 1MHz कसना 10 वी 4.3 सी 1/सी 4 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1sv239tph3f 0.4300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SV239 यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2pf @ 10v, 1MHz कसना 15 वी २.४ C2/C10 -
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T (TE85L, F) -
सराय
ECAD 3620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K316 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4 ए (टीए) 1.8V, 10V 53MOHM @ 3A, 10V 1V @ 1MA ४.३ सना ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W, S5X 1.6000
सराय
ECAD 1655 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK5A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 5.2 ए (टीए () 10V 1.2OHM @ 2.6A, 10V 3.5V @ 170µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E, RQ 1.1500
सराय
ECAD 4414 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 800 वी 3 ए (टीए) 10V 4.9OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 300µA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 500 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W, S5x 5.0100
सराय
ECAD 34 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK28A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB, S1Q 6.0900
सराय
ECAD 238 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 TRS16N65 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 - 1 (असीमित) 264-TRS16N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 8 ए (डीसी) 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS394 schottky एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK, LM 0.1700
सराय
ECAD 187 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 (किलो) -
सराय
ECAD 1117 0.00000000 तमाम U-mosiii थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak 2SK4017 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडबmun-मोल २ २ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 200 n- चैनल 60 वी 5 ए (टीए) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H (TE12LQM -
सराय
ECAD 4120 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 35 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1465 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W, RQ 0.8760
सराय
ECAD 2610 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK9P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 9.3 ए (टीए टीए) 10V 560MOHM @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) -
सराय
ECAD 1932 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2964 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 250 वी 5.6 ए (टीए () 10V 198MOHM @ 2.8A, 10V 4V @ 200 @ 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 100 वी - 1.6W (TA), 42W (टीसी)
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL, LQ 0.6500
सराय
ECAD 22 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH7R204 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 48 ए (टीसी) 4.5V, 10V 9.7MOHM @ 15A, 4.5V 2.4V @ 200 @a 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2040 पीएफ @ 20 वी - 69W (टीसी)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E, S4X 1.2300
सराय
ECAD 9274 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 800 वी 4 ए (टीए) 10V 3.5OHM @ 2A, 10V 4V @ 400µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 650 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LXGQ 3.7000
सराय
ECAD 4476 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK160F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) - 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 160 ए (टीए) 6v, 10v 2.4MOHM @ 80A, 10V 3.5V @ 1MA 122 सना ± 20 वी 10100 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4991 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम