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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक Td (ranah/बंद) @ 25 ° C वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ) अफ़स्या
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 19.5MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 4.8 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 620 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 7888 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2114 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 1 कांप 10 कांपो
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, F 0.6800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 16.9db 4V 50mA एनपीएन 200 @ 10MA, 3V 26.5GHz 0.55db @ 2GHz
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2704 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 3-, SSM3J145 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 103MOHM @ 1A, 4.5V 1V @ 1MA ४.६ सना +6v, -8v 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y, LF 0.4400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC4915 100MW एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 17db ~ 23db 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.3db ~ 5db @ 100mHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 49 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 2SC4207 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 the (rurी) rana जोड़ी, आम एमिट एमिट 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4901 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM, LQ 1.7000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-पॉव TPH3R10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP SANTAK (5x5.75) तंग 1 (असीमित) 5,000 n- चैनल 100 वी 180 ए (टीए टीए), 120 टीसी (टीसी () 6v, 10v 3.1MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 500µA 83 सना ± 20 वी 7400 पीएफ @ 50 वी - 3 डबthautun (टीए), 210W (टीसी)
RN1403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, LXHF 0.0645
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2106 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
सराय
 ECAD 1671 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10I40 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS10I40A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 35pf @ 10v, 1MHz
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2089 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 Rn49a1 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47KOHMS
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8208 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 450MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 5 ए 50mohm @ 2.5a, 4v 1.2V @ 200 @ 9.5NC @ 5V 780pf @ 10v सराय -स
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 (TE12L, Q, M -
सराय
 ECAD 5105 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8105 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 12 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 33MOHM @ 3A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 18 स्याह @ 5 वी ± 8V 1600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 20W (टीसी)
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 22kohms
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L, LXHQ 0.9400
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप rayr ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ20S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 22.2MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 37 सना +10V, -20V 1850 पीएफ @ 10 वी - 41W (टीसी)
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC, L3F -
सराय
 ECAD 4466 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) DSF01S30 schottky एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DSF01S30SCL3F Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 9.3pf @ 0v, 1MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6100 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300mA, 2V -
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2104 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F, S1Q 3.6600
सराय
 ECAD 139 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS8A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 28PF @ 650V, 1MHz
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 8.2pf @ 10v 50 वी १.२ सदा 400 एमवी @ 100 सवार ६.५ सना हुआ
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707, LF 0.2900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2707 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A53D (STA4, Q, M) 1.5000
सराय
 ECAD 2959 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 525 वी 6 ए (टीए) 10V 1.3OHM @ 3A, 10V 4.4V @ 1MA 12 स्याह @ 10 वी ± 30V 600 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21 (STA1, E, S) 4.7900
सराय
 ECAD 6501 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50JR21 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2V @ 15V, 50 ए - -
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y, LF 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC4738 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D (STA4, Q, M) 1.3700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 6 ए (टीए) 10V 1.4OHM @ 3A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 540 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ30 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 9098 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ30 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 21 वी 30 वी 30 ओम
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT (TPL3) 0.0527
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2111 100 तंग Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 10 कांपो
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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