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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
सराय
 ECAD 3369 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 यूएससी तंग 1 (असीमित) 264-1SS315 [यू/डी] Ear99 8541.10.0070 3,000 ३० सना हुआ 0.06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - एकल 5V -
2SA1931,NETQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, किल्क (जे (जे) -
सराय
 ECAD 8766 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
सराय
 ECAD 6084 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C, S1Q -
सराय
 ECAD 8191 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 TRS10E65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2L - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 90 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB, LXGQ 2.7300
सराय
 ECAD 885 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK1R4F04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 40 वी 160 ए (टीए) 6v, 10v 1.9MOHM @ 80A, 6V 3V @ 500 @ 103 सनाह ± 20 वी 5500 पीएफ @ 10 वी - 205W (टीसी)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2962, t6f (एम। -
सराय
 ECAD 4332 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 (TE85L, F) 0.2800
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1116 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, क्यू (जे (जे) -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1930 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
2SA1761,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 6832 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1761 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 3 ए 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 75ma, 1.5a 120 @ 100ma, 2v 100MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0.4600
सराय
 ECAD 6290 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRG05 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µa @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H, LQ (s -
सराय
 ECAD 2198 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8065 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 13 ए (टीए) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1350 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 18W (TC)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
सराय
 ECAD 8257 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 150mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 सना ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (J (J) -
सराय
 ECAD 1872 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 47
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LXHF (सीटी) 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 4384 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ16 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 11 वी 16 वी 30 ओम
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D (STA4, Q, M) 2.2300
सराय
 ECAD 1473 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 24 एनसी @ 10 वी ± 30V 1200 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W, S1VQ 2.0600
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK12Q60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TK12Q60WS1VQ Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (TE12L, F) -
सराय
 ECAD 7247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SJ360 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडबmun-मिनी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1,000 पी-पी 60 वी 1 ए (टीए) 4V, 10V 730MOHM @ 500mA, 10V 2V @ 1ma 6.5 सना ± 20 वी 155 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, HOF (एम) -
सराय
 ECAD 4288 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU, LF 0.5000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6N67 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 4 ए (टीए) 39.1MOHM @ 2A, 4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15v लॉजिक लेवल गेट गेट
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3, RQ (s 0.8700
सराय
 ECAD 878 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ15P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 36MOHM @ 7.5a, 10v 2V @ 100 @a 26 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 29W (टीसी)
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2971 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
सराय
 ECAD 1364 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU (T5L, F -
सराय
 ECAD 3812 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.1ohm @ 500mA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25v सराय -स
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
सराय
 ECAD 5355 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLS03 schottky एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 10 ए 1 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 125 ° C 10 ए 345pf @ 10v, 1MHz
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3F -
सराय
 ECAD 2607 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2104 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) RN2104MFVL3F Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 47
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 140 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 1SS362 तमाम Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5326 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 360MW PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 40v 4.7 ए - 2.5V @ 1MA - - -
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