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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3, S5Q -
सराय
 ECAD 5357 0.00000000 तमाम यू-यू नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 8 ए (टीए) 10V 120MOHM @ 4A, 10V 4V @ 1MA 12.9 ranak @ 10 वी ± 20 वी 530 पीएफ @ 10 वी - 18 कनम (टीसी)
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2301 100 तंग एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २०० सराय ४.7 ४.7
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 9446 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1, LXGQ 3.8300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK160F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8541.21.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 160 ए (टीए) 10V 2.4MOHM @ 80A, 10V 4V @ 1MA 121 सभा @ 10 वी ± 20 वी 8510 पीएफ @ 10 वी - 375W (टीसी)
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 6650 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6JVC1, FM -
सराय
 ECAD 6789 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4403 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2313 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319 (TE85L, F) 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA 1SS319 schottky एससी -61 बी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 2SA1955 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 12 वी ४०० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10MA, 200ma 300 @ 10MA, 2V 130MHz
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A (TE85L, QM 0.4700
सराय
 ECAD 3740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F CRS10I40 तमाम एस-फ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 35pf @ 10v, 1MHz
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L39 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 20 वी 800ma 143MOHM @ 600mA, 4V 1V @ 1MA - 268pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a ± 10V 42 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0.2100
सराय
 ECAD 4409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
सराय
 ECAD 6971 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Bas316 तमाम यूएससी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 एनएस 200 सवार @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 0.35pf @ 0v, 1MHz
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6cano, एम, एम, एम -
सराय
 ECAD 9371 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.35OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - -
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K202 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 2.3 ए (टीए) 1.8V, 4V 85MOHM @ 1.5A, 4V 1V @ 1MA ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1, S1X 2.4400
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK72E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 72 ए (टीए) 10V 4.3MOHM @ 36A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5500 पीएफ @ 40 वी - 192W (टीसी)
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X, S1F 4.6600
सराय
 ECAD 4357 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK25N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 125mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 1.2MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF -
सराय
 ECAD 5528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2714 200MW यूएसवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V - 1kohms 10kohms
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 5970 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K315 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टीएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 27.6MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 1MA 10.1 सभा @ 10 वी ± 20 वी 450 पीएफ @ 15 वी - 700MW (TA)
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2713 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 47KOHMS -
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa965-y, f (j (j (j (j (j (j -
सराय
 ECAD 3433 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 8069 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLH05, LMBJQ -
सराय
 ECAD 5120 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एल-फ CLH05 तमाम एल-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 5 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907, LF 0.2800
सराय
 ECAD 3821 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2961 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F30, H3F 0.3600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS20 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 470 mV @ 2 ए 60 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 380pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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