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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR1, AF -
सराय
 ECAD 8896 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y, S4X 1.5700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम DTMOSV नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK560A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 30W
1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 3437 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS389 schottky ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1242-y (कtun) -
सराय
 ECAD 3646 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1242 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 20 वी 5 ए 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 160 @ 500mA, 2V 170MHz
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40, H3F 0.4800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड CUHS15 schottky US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1.5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए 170pf @ 0v, 1MHz
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W, S4VX 1.9200
सराय
 ECAD 1040 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 6227 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF -
सराय
 ECAD 2952 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, एचएफईएफ (एम () -
सराय
 ECAD 4903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 (TE12L) -
सराय
 ECAD 4725 0.00000000 तमाम - डिजी rayीएल® शिर सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8207 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 750MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 6 ए 20mohm @ 4.8a, 4v 1.2V @ 200 @ 22nc @ 5v 2010pf @ 10v सराय -स
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40, L3F 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 CBS10F40 schottky Cst2b तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 700 एमवी @ 1 ए 20 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 74pf @ 0v, 1MHz
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 5121 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8B01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 2.7 ए (टीए टीए) 1.8V, 4.5V 110MOHM @ 1.4A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 6 सना ± 8V 470 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 8993 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 795 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4607 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2911 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, HFEF (J (J) -
सराय
 ECAD 2472 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2104 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K341 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 2.5W (TA)
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 170 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1116 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 10 कांपो
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 5591 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 20MOHM @ 3A, 10V 2.5V @ 1MA 14 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 640 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
सराय
 ECAD 51 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK291 800MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 22.5db 2.5DB 6 वी
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, SINFQ (J) -
सराय
 ECAD 1785 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C, S1F 22.7000
सराय
 ECAD 4982 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 58 ए (टीसी) 18V 37MOHM @ 29A, 18V 5V @ 3MA 65 सना +25v, -10v 2288 पीएफ @ 400 वी - 156W (टीसी)
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF -
सराय
 ECAD 9269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40, H3F 0.3200
सराय
 ECAD 105 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05S40 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 350 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 42pf @ 0v, 1MHz
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906, LM 0.1800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 ३२० तंग -23-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 400MV @ 5MA, 50mA 100 @ 10MA, 1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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