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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MIT1F, M) -
सराय
 ECAD 5931 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-y (एफ) -
सराय
 ECAD 9090 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SD2406 २ -कण To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 80 वी 4 ए 30 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 300MA, 3 ए 120 @ 500mA, 5V 8MHz
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 7160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN2101 100 तंग Cst3 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H (TE85L, F -
सराय
 ECAD 2162 0.00000000 तमाम U-mosv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8005 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीए) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 5.5a, 10v 2.5V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y (6MBH1, AF -
सराय
 ECAD 8417 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
CMZ18(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 1725 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ18 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 13 वी 18 वी 30 ओम
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R, LF -
सराय
 ECAD 8066 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC5096 100MW एसएसएम - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 1.4db 10V 15ma एनपीएन 50 @ 7ma, 6v 10GHz 1.4db @ 1GHz
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4609 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 22kohms
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LF 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH, L1Q 1.1400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH14006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 14 ए (टीए) 6.5V, 10V 14MOHM @ 7A, 10V 4V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1300 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 32W (टीसी)
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U (Q, M) -
सराय
 ECAD 5107 0.00000000 तमाम DTMOSII थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK20A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 30V 1470 पीएफ @ 10 वी - 45W (टीसी)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN5R203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीसी) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 19A, 10V 2.1V @ 200 @a २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1975 पीएफ @ 15 वी - 610MW (TA), 61W (TC)
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, t6asnf (j) -
सराय
 ECAD 7868 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1315 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LF (सीटी ((((() 0.2800
सराय
 ECAD 70 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4984 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y, RQ 1.9500
सराय
 ECAD 7937 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK290P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 11.5 ए (टीसी) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 730 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA RN2910 200MW कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 7756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2NSF (J) -
सराय
 ECAD 3531 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1965 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J) -
सराय
 ECAD 1755 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 1261 0.00000000 तमाम DTMOSII नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK15A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 7.5a, 10V 5V @ 1MA 17 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 950 पीएफ @ 10 वी - 40W (टीसी)
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH, L1Q 0.8800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN1600 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 17 ए (टीसी) 10V 16mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 200 @ 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1600 पीएफ @ 50 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV, L3F 0.4500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2511 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMG03 तमाम एम-फ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMG03 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
सराय
 ECAD 7769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SC6076 १० सन्निक पीडब-k-मोल तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T ​​(TE85L) -
सराय
 ECAD 3763 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 4-फ, फmun लीड लीड HN2S03 schottky TESQ - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 20 वी 50mA 550 एमवी @ 50 एमए ५०० पायल @ २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 3970 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ13 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 9 वी 13 वी 30 ओम
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F -
सराय
 ECAD 3225 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2107 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LF 0.3000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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