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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
सराय
 ECAD 144 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A50 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 500 वी 9.7 ए (टीए टीए) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 700 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L, LXGQ 2.3200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TK60F10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sm (w) - 3 (168 घंटे) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 सना ± 20 वी 4320 पीएफ @ 10 वी - 205W (टीसी)
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8ohm @ 50ma, 4v - 12.2 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W, LQ 5.2600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK28V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 120mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 240W (टीसी)
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C, S1F 30.4100
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 60 ए (टीसी) 18V 41MOHM @ 30A, 18V 5V @ 13ma 82 सना +25v, -10v 2925 पीएफ @ 800 वी - 249W (टीसी)
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL, L1Q 1.9400
सराय
 ECAD 5381 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPHR8504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.85MOHM @ 50A, 10V 2.4V @ 1MA 103 सनाह ± 20 वी 9600 पीएफ @ 20 वी - 1W (TA), 170W (टीसी)
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT, L3F 0.3200
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 180ma (TA) 1.2V, 4V 3OHM @ 50ma, 4v 1V @ 1MA ± 10V 9.5 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5db @ 100mHz
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, एफ (जे (जे () -
सराय
 ECAD 7950 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1972 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 400 वी ५०० तंग 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 1V @ 10ma, 100ma 140 @ 20MA, 5V 35MHz
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL, L1Q 3.0600
सराय
 ECAD 458 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8 नताया TPWR6003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 150 ए (टीसी) 4.5V, 10V 0.6mohm @ 50a, 10v 2.1V @ 1MA 110 सना ± 20 वी 10000 पीएफ @ 15 वी - 960MW (TA), 170W (TC)
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage Tta004b, q 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 TTA004 १० सन्निक से -126N तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 250 160 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 50MA, 500mA 140 @ 100ma, 5v 100MHz
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 (किलो) -
सराय
 ECAD 1117 0.00000000 तमाम U-mosiii थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak 2SK4017 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक पीडबmun-मोल २ २ तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 200 n- चैनल 60 वी 5 ए (टीए) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 10 वी - 20W (टीसी)
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3E08QM, S1X 1.5800
सराय
 ECAD 98 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 5.3mohm @ 50a, 10v 3.5V @ 700µA ५५ सना ± 20 वी 3980 पीएफ @ 40 वी - 150W (टीसी)
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LF 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (ONK, Q, M) -
सराय
 ECAD 9307 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W, S1Q 1.4000
सराय
 ECAD 8899 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK6Q65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 650 वी 5.8 ए (टीए () 10V 1.05OHM @ 2.9A, 10V 3.5V @ 180µA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6F (J (J) -
सराय
 ECAD 9446 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1020 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 50 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W, S5x 5.0100
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK28A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 सभा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2707 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40, H3F 0.3200
सराय
 ECAD 105 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS05S40 schottky यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 350 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 42pf @ 0v, 1MHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 895 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1309 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6100 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300mA, 2V -
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 7464 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L, LXHQ 1.4100
सराय
 ECAD 3162 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ60S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 60 ए (टीए) 6v, 10v 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1MA 125 सना +10V, -20V 6510 पीएफ @ 10 वी - 90W (टीसी)
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS394 schottky एससी -59 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ18 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 13 वी 18 वी 30 ओम
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF -
सराय
 ECAD 9269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1, S4X 1.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK32A12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 32 ए (टीसी) 10V 13.8MOHM @ 16A, 10V 4V @ 500µA 34 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 60 वी - 30W (टीसी)
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F, LF 0.2300
सराय
 ECAD 72 0.00000000 तमाम π-Mosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K15 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 7.8 पीएफ @ 3 वी - 200MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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