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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 (TE85L, F) 0.4100
सराय
 ECAD 130 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2423 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 70 @ 100ma, 1v २०० सराय ४.7 ४.7
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV, L3F 0.2500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 8.5 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT (TE85L) -
सराय
 ECAD 5762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Jdp4p02 Cst4 (1.2x0.8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 4,000 ५० सदा 0.4pf @ 1V, 1MHz पिन - 2 कसौटी 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2103 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही २२ सिपाही
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU, LF 0.4000
सराय
 ECAD 310 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 तमाम US6 तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 80MA 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2607 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4.5V, 10V 19.5MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a 4.8 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 620 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9551 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1970 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 10 कांपो
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415, LXHF 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 10 कांपो
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS -
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LF (सीटी ((() 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, एम।, एम।, एम। -
सराय
 ECAD 9386 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2989 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 5 ए (टीजे)
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1101 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
सराय
 ECAD 6084 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT, L3F 0.2900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3K37 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 n- चैनल 20 वी 200ma (TA) 1.5V, 4.5V 2.2OHM @ 100mA, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 12 पीएफ @ 10 वी - 100MW (TA)
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 9568 0.00000000 तमाम - नली शिर - होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK16A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 16 ए 270MOHM @ 8A, 10V - - -
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 (TE85L, F) 0.3700
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 1SS372 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 20pf @ 0v, 1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CBS05F30 schottky Cst2b - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 118pf @ 0v, 1MHz
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4987 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV, L3F 0.1000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1130 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 100 @ 10MA, 5V २५० तंग 100 कांप 100 कांप
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN1131 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 100 कांप
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60x5, S1F 4.5900
सराय
 ECAD 8939 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TK25N60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीए) 10V 140mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 सना ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 (TE12L, Q, M -
सराय
 ECAD 5105 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8105 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 12 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 33MOHM @ 3A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 18 स्याह @ 5 वी ± 8V 1600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 20W (टीसी)
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF -
सराय
 ECAD 9269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 १५० तंग एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y, LF 0.2000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SC4738 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (SHP1, F, M -
सराय
 ECAD 9880 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12L, Q -
सराय
 ECAD 9297 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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